β-Ga2O3相关论文
Ga2O3是一种宽禁带化合物半导体，因具有优异光电性能成为继SiC和GaN之后的第三代用于功率元件的宽禁带半导体，可广泛应用于航空航天......
光电探测器作为人类探索世界感知世界的“千里眼”,在军事和民用领域都有着极为重要的作用和广泛的应用,例如导弹告警、火灾探测、......
随着如今电子元器件更趋向于大规模集成化和微型化,传统半导体材料逐渐暴露出短板,因此,科研人员在自然界寻找一些能够取代传统材......
β-Ga2O3是近年来新兴的超宽禁带半导体材料之一,因具有4.2～4.9eV的超大禁带宽度,高热稳定性和天然衬底可以大规模生产等特点而受到......
在不同氧分压下,用脉冲激光沉积法在c-蓝宝石衬底上制备了高质量β-Ga2O3?δ薄膜.通过X-射线衍射、远红外反射光谱、X-射线光电子......
近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga2O3受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-......
基于密度泛函理论,本文通过OTFG赝势方法计算了本征β-Ga2O3以及Cu-N共掺后β-Ga2 O3的晶格常数、电子结构以及光学特性.计算结果......
The symmetric Ti/Au bi-layer point electrodes have been successfully patterned on the β-Ga2O3 films which are prepared ......
通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Mg单掺杂、N单掺杂和不同浓度的Mg-N共掺杂β-Ga2 O3的结构性质、电子性质和光学性......
β-Ga2O3为直接带隙半导体材料,禁带宽度为4.9eV,击穿电场强度为8MV/cm,是Si的20多倍,SiC和GaN的2倍以上.可以用于高耐压功率器件......
The catalytic performance study of the PdGa/β-Ga2O3 catalysis prepared by atomic layer deposition an
The catalytic performances of PdGa/β-Ga2O3 catalysts prepared by atomic layer deposition(ALD)and impregnation method we......
通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)_2O_3混晶。当Al~(3+)掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象。进行X射线衍射分......
采用密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法,对不同W掺杂浓度下β-Ga2O3的导电性能进行研究.计算了β-Ga2(1-x)W2x O3(x=0,0.0625,......
近年来,宽禁带半导体材料β-Ga2O3越来越多地受到关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究。射频磁控溅射是常用的β-Ga2O3......
Highly sensitive solar-blind deep ultraviolet photodetector based on graphene/PtSe2/β-Ga2O32D/3D Sch
There is an emerging need for high-sensitivity solar-blind deep ultraviolet (DUV) photodetectors with an ultra-fast resp......
由于宽的禁带宽度(3.39 eV)和高的击穿电场,作为第三代化合物半导体的代表,氮化镓(GaN)在高功率和高频器件上已经显示出巨大的应用......
Ga_2O_3作为一种新型化合物半导体材料,具有多种同分异构体结构,其中以单斜晶系的β-Ga_2O_3最为受到人们的关注。与GaN、SiC等半......
β-Ga_2O_3作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,它具有4.9 e V的禁带宽度、8 MV/cm的高击穿电场以及优良的Baliga品质因数等出色的......
采用密度泛函理论（DFT）,对不同过渡金属元素（Ca、La、Ti）掺杂β-Ga2O3光催化剂的催化性能进行研究。结果表明,金属元素钙（Ca）掺杂β-Ga2O......
Ga_2O_3作为一种超宽禁带半导体新型材料,不仅具有超宽的带隙(高达4.9e V),较高的临界击穿电场(高达8MV/cm),而且在高温下还具有出......
日盲紫外探测技术由于背景噪声低和灵敏度高等优点,被广泛应用于火焰检测、高压电晕、生物/化学分析、臭氧层监测、导弹制导及空间......
The low dark current,high responsivity and high specific detectivity could be preferably achieved in detectors based on ......
日盲紫外探测器及其相关技术能够在强烈紫外背景的干扰下检测到微弱的信号,由于臭氧层对深紫外光的吸收作用,使得工作在大气环境下......
作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,氮化镓(GaN)是当前研究的热点问题。由于具有禁带宽度大(3.4 eV)、击穿电场高、电子漂移速......
工作于200-280 nm波段的日盲深紫外光探测器在包括导弹预警、空间通讯、火焰探测、远程控制以及化学和生物分析等许多军事和民用领......
单斜结构β-Ga2O3是一种超宽带隙(4.9eV)的新型半导体材料,在新一代电力电子器件和光电器件领域有着广阔的应用前景。β-Ga2O3无需......
太阳光中200-280nm波段由于大气层及平流臭氧层吸收,无法到达地面。因此,通常被称为日盲区域。探测该波段区间的光电探测器称为日......
随着半导体科学技术的日益发展,以GaN及其三元合金AlGaN为代表的氮化物材料凭借带隙宽度大、击穿电压高、化学稳定性优异等优点已......
β-Ga_2O_3作为一种新型宽禁带半导体材料,因其～4.8 e V的禁带宽度、高达8MV/cm的击穿场强、稳定的物理化学特性,成为了Si C、Ga N......
Microstructure,optical,and photoluminescence properties of β-Ga2O3 films prepared by pulsed laser de
The β-Ga2O3 films are prepared on polished Al2O3(0001)substrates by pulsed laser deposition at different oxygen partial......
Investigation of β-Ga2O3 films and β-Ga2O3/GaN heterostructures grown by metal organic chemical vapo
In this work,(-2 0 1) β-Ga2O3 films are grown on GaN substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).It is......
采用简单的化学气相沉积(CVD)方法,利用氧化镓粉末和碳粉作为生长的原材料,在无金属催化剂的情况下,在硅衬底上生长出了产量高、面......
近年来,β-Ga2O3材料的研究和应用成为国际上的热点.由于β-Ga2O3禁带宽度大(4.8～4.9 eV),击穿场强高达8 MV/cm3,其单晶可以通过多......
本文通过对荣华二采区10...
Single-crystal GaN layers have been obtained by nitridingβ-Ga2O3 films in NH3 atmosphere.The effect of the temperature ......
Ni/β-Ga2O3 lateral Schottky barrier diodes (SBDs) were fabricated on a Sn-doped quasi-degenerate n+-Ga2O3 ((-2)01)bulk ......
In this paper,drain current transient characteristics of β-Ga2O3 high electron mobility transistor (HEMT) are studied t......
氧化镓(Ga2O3)纳米材料在紫外透明电极、高温气体传感器、日盲紫外探测器和功率器件等领域具有巨大的应用潜力,而实现高结晶质量和......
氧化镓材料在高温(400℃以上)下随环境气氛变化而变化的电学性质可以用于汽车尾气成分的研究。相比于薄膜材料，氧化镓纳米线簇更大......
High Purity and Large-scale Preparation of β-Ga2O3 Nanowires and Nanosheets by CVD and Their Raman a
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Effect of Oxide Assisted Metal Nanoparticles on Microstructure and Morphology of Gallium oxide Nanow
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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