电化学刻蚀相关论文
随着新能源汽车、风力发电、机器人等工业的迅速发展,钕铁硼（NdFeB）永磁材料作为关键材料之一,其用量在逐年增加[1]。NdFeB在制造过......
动力电池的发展要求电池具有高功率、高比能,传统的石墨负极已经无法满足高比能锂离子电池对高容量的需求,而硅材料来源广,嵌锂电......
超疏水表面是一种具有特殊润湿性的仿生功能表面,在抗结冰、油水分离、流体定向运输、自清洁、防腐蚀、流体减阻等领域具有较高的......
给出了一个用约束刻蚀剂层技术对金属铜进行微区电化学刻蚀的电化学体系,并考查了约束剂的效果以及电流密度对被刻蚀区域显微结构......
材料表面的疏水性决定了其耐蚀及防污性能.采用电化学刻蚀技术在2024铝合金表面制备具有微-纳米尺寸的粗糙结构,再利用等离子体增......
电化学刻蚀使用腐蚀性小的电解质溶液,且溶液可使用周期长,是一种环境友好的加工工艺.本文采用聚丙烯酰胺水凝胶(PAG)作为软印章,......
超疏水表面是水接触角大于150°且滚动角小于10°的一类表面,具有防结冰、自清洁等优点。自然界中,荷叶、蝉翼等均为超疏水表面。......
作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,氮化镓(GaN)是当前研究的热点问题。由于具有禁带宽度大(3.4 eV)、击穿电场高、电子漂移速......
光电化学制氢是利用太阳能的有效方式之一。在各种光电催化活性材料中,Ga P具有合适的能带位置和较小的带隙宽度等优点,是非常有前......
继第一代Ge、Si为代表的半导体材料、第二代GaAs、InP为代表的化合物半导体材料之后,以GaN与SiC为代表的第三代半导体材料已成为当......
本文主要研究了外界干扰对磷化铟多孔层的影响,利用电子束曝光技术辅助电化学刻蚀技术和激光干涉技术辅助电化学刻蚀技术,分别制备......
Si C是第三代半导体材料,具有高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和迁移率以及良好的化学稳定性等,在研发高温高压大功率等苛刻环......
采用基于硝酸钾溶液的电化学刻蚀工艺,通过横向刻蚀牺牲层的方法,在金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓（GaN）外延层上实现了纳米孔......
采用电子束光刻技术与电化学定域性刻蚀技术制备了多孔InP光波导.使用扫描电子显微镜对电化学定域性刻蚀方法制备的多孔InP进行表......
采用直流电化学刻蚀方法制备扫描隧道显微镜钨针尖,研究了电化学刻蚀过程中NaOH溶液浓度、钨丝浸入长度和刻蚀电压对针尖形貌的影......
润湿性是衡量超疏水表面特性的重要指标,具有可控润湿性的超疏水表面在生物医学分析、芯片实验室等领域有重要潜在应用价值。本文......
接触角大于150°、滚动角小于10°的表面被称为超疏水表面。近年来,研究人员用电刻蚀,化学刻蚀等方法已经成功在铝基体上制备出了......
随着 MEMS技术的发展，微流控芯片分析技术在生物学、医学、环境学等方面的应用越来越广泛。金属模具作为微流控芯片制作过程中的核......
随着科学技术的发展，微小型产品已广泛应用于人们生活的各个角落。发展能够加工微尺度产品的微细加工技术亦成为各工业国家研究的热......
SiC是第三代半导体材料，具有高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和迁移率以及良好的化学稳定性等，在研发高温高压大功率等苛刻环境......
由于X-ray具有高光子能量、穿透力强等特点，已在科研、生产、生活等多个领域得到了广泛应用。但目前的X-ray成像探测器存在成像分辨......
随着全球环境污染和能源危机日益加剧，开发新型的环保能源越来越受到重视，新型热电材料因此引起了研究者们的兴趣。热电材料作为一种......
细胞图案化是于体外模拟并塑造细胞体内微环境、研究细胞与其微环境各成分间相互作用的实验工具，涉及从微机械、微电子加工技术到生......
近年来,半导体光催化技术在光电转换以及降解环境污染物等方面得到了广泛的研究。TiO_2由于具有活性高、光化学性质稳定、无毒等优......
为制备具有优良粘附性能和自洁净功能的仿壁虎聚合物微纳阵列结构，本文在结合壁虎脚掌刚毛的黏附性能与荷叶表面疏水性能的研究基础......
本文的主要内容为III-V半导体(InP和GaAs)表面纳米结构的制备及其光学性质的研究。文中首先简单回顾了纳米科学与技术的发展历程，介......
利用导电原子力显微镜针尖,对组装在单晶硅上的有序长链硅烷(OTS)单分子膜进行微区电化学氧化,非破坏地改变其表面甲基为羧基,形成......
研究了光辅助电化学刻蚀技术,并特别研究了阵列和硅衬底之间的边缘效应。在阵列边缘由于电流分布不均匀以及空穴从孔的侧壁注入,因......
光助电化学刻蚀技术是目前获取高深宽比微纳结构的重要方法之一。由于其制作成本低、三维结构形貌可光控实现而受到重视。从实际应......
报道了在含氟的酸性水溶液中,对电沉积制备的WO_3薄膜电极进行电化学刻蚀,并采用光电化学、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)......
样品类型:钨、铂;制作方法:电化学刻蚀制钨针尖、FIB镀铂仪器型号:FEI Titan 80-300透射电子显微镜.该作品为氧化物相变存储材料原......
利用COMSOL拟合进行电场仿真分析确定电流密度分布,通过实验研究了偏置量、电解液浓度和往复运动参数对所制备电极形貌的影响,从而......
采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进......
研究了光辅助电化学刻蚀技术,并特别研究了阵列和硅衬底之间的边缘效应.在阵列边缘由于电流分布不均匀以及空穴从孔的侧壁注入,因......
采用电化学刻蚀处理钛基材，再通过涂覆、烧结的方法制备出钛基IrO2-Ta2O5电极。与喷砂处理相比，经电化学刻蚀处理后，钛基材表面的凹坑......
采用电化学刻蚀的方法，在自制的电解槽中制备n型〈100〉晶向多孔硅条状阵列。通过扫描电子显微镜对生成的多孔硅进行形貌观察，并对多......
采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。......
发展电化学刻蚀和化学刻蚀技术，对钛表面进行处理，并应用扫描电镜、X射线衍射方法对其表面进行表征，探讨电化学刻蚀钛表面形成微观结......
电化学沉积法在光滑钛表面上得到的羟基磷灰石涂层存在着不耐载荷,应力作用下结合界面易被破坏的缺陷.本文采用电化学刻蚀技术在钛......
在自制的三极电解槽中，采用浓度不同的氢氟酸（HF）电解液在一定掺杂浓度的P型硅基上，研究了大孔深通道阵列的形成过程。通过一系列实验......
六硼化镧（LaB6）场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB6场发射阵列阴极的关键。在（111）面单晶LaB6基片上，用等离子体增强化学气相沉积法制......
报道了在含氟的酸性水溶液中,对电沉积制备的WO3薄膜电极进行电化学刻蚀,并采用光电化学、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、光电......
近年来,各类电子产品与新能源汽车的快速发展使得高能量密度的电池研发变得迫切。锂金属负极由于其极高的理论比容量(3860 mAh g-1......
本文采用P型单晶硅片,在三极电解槽中,进行了电化学深刻蚀的探索性实验.对湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实......
贵金属纳米材料广泛应用于能源、环保等诸多领域。其特性除了受尺寸、形貌以及组分等因素影响外,还对其表、界面结构非常敏感。因......
半导体硅在含HF电解液阳极氧化体系中可以形成不同的腐蚀形态.当采用背面照明,且反应电流密度小于某个临界值时,可以在N型硅抛光片......
提出了一种用于电化学刻蚀（ECE）分析的可编程高压电源实现方案。利用MAX038作为波形发生器,采用P89LPC936 MCU进行控制。电源的输出......
