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采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长......
采用双晶X射线衍射(DC-XRD)研究蓝宝石(0001)衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩......
采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al2O3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征.发现横向生长区的GaN(0001)晶面与窗口区的GaN(0001)......
报告了氢化物气相外延技术中 ,在载气氮气氛中加入氢气对材料表面形貌及材料性质的影响。实验发现生长气氛中氢的存在会显著改进材......