3C-SIC相关论文
当今的许多行业都需要在高温环境下工作的电子器件,如航空航天、火力发电、石油勘探和核能等,而目前的Si基器件的极限应用温度仅达......
用La B6灯丝200 kV高分辨透射电镜拍摄了有小角晶界的3C-Si C/(001)Si薄膜的[1ˉ10]高分辨电子显微像.用像解卷技术把本不直接反映......
3C-SiC作为第三代半导体材料具备禁带宽、临界击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率高等众多优异的性能,但由于其较大的晶格失......
3C-SiC优异的材料特性使其在高温、高频、大功率以及抗辐射电子器件应用方面具有广阔的应用前景。如果将Si/3C-SiC异质结构中的Si......
立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上.本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微......
基于GGA近似使用第一性原理方法对3C-SiC的ZB至NaCl相的高压相变过程进行了研究,得出中间过渡相的最高对称性为Imm2(而此前有研究......
SiC纤维增韧SiC基复合材料(SiCf/SiC)由于其优越的性能而成为新一代核能系统重要候选材料之一.材料中的缺陷会使材料的力学性能发......
The favourable physical properties of SiC make it a potential material for use as containment layer in new generation nu......
利用第一性原理赝势方法计算了Si0.875X0.125C(X=N、P、As)的电子能带结构、态密度、电荷布居数和静介电常数.计算结果表明:随着N......
Micro-Raman Spectroscopy for Stress Evaluation of 3C-SiC Epitaxially Grown on Si Substrate by Hot Wa
A series of cubic SiC single crystals were heteroepitaxially grown by the hot-wall chemical vapor deposition (CVD) using......
在硅衬底上利用具有质量选择功能的低能离子束沉积技术沉积碳离子制备出除碳、硅之外无其他杂质元素的纯净的立方SiC薄膜.利用X射......
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采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和......
介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)......
运用分子动力学方法,采用LAMMPS程序模拟了3C-SiC中的级联碰撞过程。研究了不同初始运动方向、不同能量下的PKA级联碰撞产生点缺陷......
采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO2作为掩蔽层，进行3C—SiC的反向外延的选择性生长．TEM，AFM和XRD结果显示3C-SiC沿（111）面成功实......
运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC 晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究.发现3C-SiC 平衡......
运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC 晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究.发现3C-SiC 平衡......
单晶Si和蓝宝石(0001)是两种重要的3C-SiC异质外延衬底材料,然而,由于Si及蓝宝石和3C-SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度,......
单晶Si和蓝宝石(0001)是两种重要的3C-SiC异质外延衬底材料,然而,由于Si及蓝宝石和3C-SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度,......
用LPCVD在Si(111)上异质外延了n型3C-SiC,并在所外延的3C-SiC上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触.用两种不......
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨......
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨......
利用第一性原理赝势方法计算了不同浓度Bi元素掺杂SiC（掺杂浓度分别为1/8、1/16、1/32）的电子能带结构、态密度、布居分析和差分电荷......
利用第一性原理赝势方法计算了不同浓度Bi元素掺杂SiC（掺杂浓度分别为1/8、1/16、1/32）的电子能带结构、态密度、布居分析和差分电荷......
3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们......
3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们......
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长3C-SiC的方法.采用LPCVD生长系统,以SiH4和C2H4为气源,在超低压(30Pa)、低温(900℃)的条件下,......
报道了关于3C-SiC纳米颗粒量子限制效应的实验证据.将电化学腐蚀3C-SiC多晶靶材得到的多孔材料在水溶液中进行超声处理,制备出发光......
用同步辐射光电子能谱（SRPES）和X射线光电子能谱（XPS）的方法研究了室温下Cu／3C-SiC（111）界面的形成。在超高真空下，Cu慢慢沉积到2ML。Cu2p3......
利用从头计算的全势缀加平面波理论方法研究了3C-SiC的能带结构和基本的光学函数，得到了Si、C分波态密度和能带结构．介电函数的虚部......
立方碳化硅(3C-SiC)作为一种宽禁带半导体,是第三代宽禁带半导体基板材料的代表。目前常用的3C-SiC制备方法多使用四氯硅烷(SiCl_4......
将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成 Si C多晶薄......
本文以Si（100）为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积（APCVD）系统在不同温度（1100～1250℃）下制备的＂缓冲层＂上生长了3C-SiC薄膜。结果表明,......
3C-SiC被誉为最有潜力的宽禁带半导体材料,具有带隙宽、临界击穿电场高、热导率高、饱和电子漂移速度大等优点,是高温、高频、高功......
将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体,在石墨表面形成SiC多晶薄层并......
用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝（TMA）源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型。用XPS方法......
以工业硅藻土和液态酚醛树脂为原料,以硝酸铁为催化剂前驱体,采用催化碳热还原反应方法制备了3C-SiC粉体,采用XRD、SEM和TEM分析了......
采用第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,计算了未掺杂与B、N单掺杂3C-SiC的电子结构和光学性质.结果表明:掺杂改变了3C-SiC......
SiC具有独特的物理性质和电学性能,击穿电压高、电子饱和漂移速率高、电子迁移率高、热导率高、和化学稳定性好,可用于高温、高速......
在3C-SiC外延层上生长大面积连续的高质量石墨烯是富有巨大意义的工作，同时也具有很大的挑战性，如何确定和表征石墨烯材料也非常重要......
本文通过第一性原理研究了两部分内容:SrTiO3材料的电子结构及其属性的研究和3C-SiC的热力学性质及热输运性质的研究。首先基于密......
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算了未掺杂,B,Al单掺杂和B-Al共掺杂的3C-SiC的晶格参数、能带结构、态密度......
使用基于密度泛函微扰理论的线性响应方法,模拟研究了强激光辐照对闪锌矿结构的碳化硅晶体结构稳定性的影响.通过计算在不同电子温......
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,建立了未掺杂,Al,N单掺杂和Al-N共掺杂3C-SiC的4种超晶胞模型,并分别对模型进......
采用第一性原理对3C-SiC块体和3C-SiC（111）、（110）和（100）三个表面的电子结构和光学性质进行理论计算。计算结果表明：3C-SiC块体是带隙为1......
