低温沉积相关论文
刚玉结构的α-Al2O3具有高温硬度高,化学稳定性好,电绝缘性高和抗氚渗透性能好等优异的综合性能,在高速钢刀具涂层、微电子领域和......
采用旋转喷涂法低温沉积制备NiZn铁氧体薄膜,研究了沉积时间对薄膜相结构、显微形貌和磁性能的影响.结果表明,随着沉积时间延长,平......
采用旋转喷涂法低温沉积制备主配方为Ni0.17Zn0.52CoyFe2.31?yO4(y=0～0.09)的铁氧体薄膜,研究了Co含量对NiZn铁氧体薄膜相结构、显......
分别使用反应溅射Al+α-Al2O3(15％ α-Al2O3,质量分数)复合靶和在金箔基体表面预植α-Al2O3籽晶,促进α-Al2O3薄膜的低温沉积.使用......
采用PECVD 技术,在较低的衬底温度(.60℃)条件下沉积掺硼的氢化纳米硅P 掺杂层.将这种氢化纳米硅p 层应用到玻璃顶衬的TCO/p- Si:H......
某型号票据机切纸刀原来采用进口高速钢薄板制造,使用寿命达不到要求,而且加工难度大,价格高。后将刀片材料改为预淬火65Mn薄板,成......
采用外加电磁线圈直流磁控溅射法低温制备了ZnO:Al透明导电薄膜,研究了不同沉积参数对AZO薄膜电学性能的影响.通过改变外加同轴线......
采用组织工程方法实现骨软骨一体化修复面临诸多问题,普遍存在生成的透明软骨组织比例较小、骨软骨复合组织的各项性能不能长期保......
低温沉积具有优异光电性能的ITO一直是道难题。本文采用掺杂H2的方式,利用磁控溅射设备室温制备了ITO导电膜,并通过分光光度计、四......
用ＸｅＣｌ紫外与ＣＯ２红外复合激光化学气相沉积方法，在３４０℃硅衬底上沉积成高纯金刚石膜。
High-purity diamond films were deposited on Si sub......
利用直流反应磁控溅射技术，室温下在聚脂膜基片上制备了优良的ITO透明导电薄膜．研究了沉积速率，靶基距，氧流量以及厚度对薄膜光电性能......
利用直流磁控反应溅射钢锡合金靶和锌铝合金靶，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明导电薄膜．结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变：柔性基片上低温沉......
使用直流辉光和微波电子回旋共振两种等离子体辅助反应蒸发法在有机玻璃基底上制备了透明导电ＩＴＯ膜。在实验中详细地研究了氧分压对膜......
这是一种新的不需要加热被镀材料或高真空环境的比目前采用的方法更简便、更有效且更便宜的镀膜方法。镀膜可以改变被镀材料的表......
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在镀铝玻璃衬底上沉积了GaN薄膜。RHEED和XRD分析显示,适......
采用紫外脉冲激光沉积技术和高低温沉积工艺,在LaAlO3(100)平衬底及倾斜衬底上成功制备了c轴取向的(Bi,Pb)2Sr2CaCu2O8[(Bi,Pb)-22......
金刚石薄膜涂层硬质合金工具由于性能优异、成本相对较低（与ＰＣＯ和金刚石厚膜钎焊工具相比）、适应于复杂形状工具衬底沉积，以及可大批量沉......
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学汽相沉积技术在石墨衬底上低温沉积制备出高质量GaN薄膜,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N......
采用诱导型耦合等离子体辅助直流磁控溅射法在石英玻璃片上反应沉积TiO_2薄膜,通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和紫外可......
本文从事的研究是碳纳米管(CNT)薄膜的制备及场发射效果分析。在普通玻璃衬底上用磁控溅射方法镀上金属钛层,用含铁杂质的碳化硅微......
对离子束增强反应磁控溅射低温沉积 AIN 膜层组织形貌、晶体结构、电子结构及其光学特性进行了研究。结果表明膜层组织均匀,晶粒细......
采用X-射线衍射(包括小角度衍射方法)研究了低温气相生长金刚石薄膜和单晶硅衬底之间的界面过度层。发现在较高温度下(700℃)过渡......
用扫描电镜（ＳＥＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对６种微波等离子体ＣＶＤ金刚石薄膜的表面形态和显微结构进行了研究．结果表明：在金刚石晶粒长大过程中，（１１１）面方向长大时产......
为了将铁电薄膜与半导体器件集成，发展了新的铁电薄膜制备技术。快速退火（ＲＴＰ）由于可以降低铁电薄膜的制备温度、改善铁电薄膜与半导体器......
层状钙钛矿SrBi_2Ta_2O_9(SBT)铁电薄膜具有无疲劳和在亚微米(...
本文叙述了使用等离子体辅助反应蒸发法在有机玻璃基底上制备透明导电ITO膜的研究结果。成功地在室温的条件下,制备出了高透明的、......
对铜在含硅气氛中低温沉积、随后进行扩散处理的表面化学热处理进行了研究。使用光学显微镜、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）仪、电子探针（ＥＰＭＡ）等对渗层进行了......
本文研究了纯铜的气体表面渗硅新工艺，也即在含硅气氛下低温沉积和扩散表面改性的工艺研究情况，介绍了各实验参数对渗硅层厚度和性能......
物理气相沉积（PVD）已得到广泛的工业应用．而双重处理、低温沉积TiN和Ti2N等新的涂层技术目前正在研究中，其应用领域人们尚未完全了解。......
采用反应热蒸发的方法,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料衬底上制备In2O3:Sn(ITO)薄膜。鉴于塑料对温度的敏感性,详细研究了衬底温......
本文报道了利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射在温度300℃以下沉积氢化多晶硅薄膜的制备方法.利用拉曼散射、X射线衍......
报道了用金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在蓝宝石衬底上成功地制备出ＧａＮ量子点。采用了５００℃低温沉积和１０５０℃高温退火的两步制备法制备出密度为５×......
通过RF磁控溅射技术制备不同溅射气压下的ITO薄膜,对其电阻率、光学透过率、XRD图、AFM图和划擦行为进行了研究。薄膜和基板的附着......
采用直流射频耦合磁控溅射技术,以氧化锌掺铝(AZO,2%Al_2O_3,质量分数)陶瓷靶为靶材,在玻璃基片上低温沉积AZO薄膜,并采用质量分数......
一、引言8Fc75-0低功耗运算放大器,是一种工作在小电流下且性能要求很高的一种线性集成电路,它由纵向 npn 型和横向 pnp 型晶体管......
文中对直接和间接硅外延生长技术进行了讨论和比较。目前硅外延生长正处于探索阶段,在过去二年亦未采用新的炉子工艺。用低温沉积......
本工作对我厂的3DG102硅平面三极管进行了PSG表面钝化.结果证明,经PSG表面钝化后的管子在一万小时的长期高温贮存试验和长期额定功......
日本三洋电器公司的研究人员研制出一种低温沉积陶瓷薄膜的离子束表面技术。这种界面控制气相沉积的工艺只适于基体与沉积薄膜之......
本文对等离子体环境对ITO薄膜低温生长的作用进行了分析。结果表明，等离子体辅助是低温沉积ITO薄膜的有效手段，适当强度的等离子体处......
本文在传统的RF-PCVD设备上采用磁约束增强技术,在玻璃上低温沉积(小于150℃)出优质无色透明类金刚石保护膜(Diamond-like Carbon,......
低温沉积是当代材料科学和工程，特别是薄膜技术的前沿问题。在离子镀领域中，这个问题尤为重要。八十年代以来，离子镀已发展成为世界范......
