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多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本，在能源信息工业中，日益成为一种重要的电子材料，并被广泛应用于大规模集成电路和半导体分立器件。为降低多晶硅薄膜的生产成本，研究在廉价的玻璃衬底上低温制备多晶硅薄膜的技术成为当今国际的热门课题。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术因具有沉积温度低，大面积均匀生长等优点，成为生长多晶硅薄膜的一种主要方法。本实验采用电子回旋共振ECR-PECVD方法，以SiH_4(掺95％的Ar气)和H_2为气源，在硅和普通玻璃为衬底上低温沉积了多晶硅(