缓冲层相关论文
研究了作为高放废物深地质处置库最后一道人工屏障——缓冲层在热湿力耦合作用下的宏观表现,通过自行设计的热湿力耦合实验装置,在......
近年来波纹铝护套结构高压电缆中出现的缓冲层烧蚀缺陷造成巨额经济损失和不良社会影响，然而该缺陷产生及发展机理尚不明确，检测技术......
随着电子元器件向集成化、高频化、小型化的发展,厚膜电阻器件在众多领域逐渐被薄膜电阻器件所取代。钽氮化物（TaNx）因其优秀的物理......
制备了结构为ITO/Pentacene/C60/Al的双层光伏电池器件,在C60/Al界面插入了常用的缓冲层材料bathocuproine（BCP）作为阴极缓冲层,通过......
对一起110 kV电缆绝缘屏蔽层灼伤的缺陷情况进行了分析，通过对电缆本体抽样解剖检查，排除了由于潮气进入到金属护层中导致缓冲层烧蚀......
文章主要论述缓冲层对头盔吸收碰撞效果的影响，对不同发泡密度EPS缓冲材料、EPP缓冲材料所制作的头盔吸收碰撞能量效果进行试验与验......
近年来，高压电缆中的电化学腐蚀诱发了多起本体击穿故障，造成了重大的经济损失。这种故障的特点是击穿的电缆中的缓冲层上有明显的白......
基于无机固体电解质的固态电池具有高安全性、高能量密度、可设计性强等特点,是最有潜力的下一代电池系统之一。无机固态电池的核......
当高压XLPE电缆出现缓冲层放电烧蚀缺陷后,在缺陷位置会出现烧蚀痕迹,严重时会发生电缆线路的击穿事故,这将严重影响到电力系统的......
针对110kV电缆结构提出了气体吹扫与加热的水分驱除方案,搭建了水分驱除平台,研究了电缆长度、温度及氮气流速等工艺参数,探究了浸......
缓冲层烧蚀故障严重危害高压电缆的安全可靠运行.为进一步揭示缓冲层烧蚀机理,开展了高压电缆缓冲层烧蚀试验,研究了缓冲层受潮进......
近年来高压电缆阻水缓冲层事故频发，已严重威胁到输电系统的安全性。本文对目前国内外缓冲层失效的相关研究现状进行综述，并提出可能......
钨酸钆钾KGd（WO4）2（简称KGW）作为一种性能优异的基质材料,在激光器件、通讯、医学检测等领域被广泛研究与应用。同晶体材料对比,薄膜材......
利用电子束蒸发法在Si衬底上制备了不同厚度的SnO2缓冲层,并使用磁控溅射法制备出上层氧化钒薄膜,研究了 SnO2缓冲层厚度对于氧化......
第一代半导体材料（硅）和第二代半导体材料（砷化镓GaAs,磷化铟InP）由于禁带宽度较窄,已经不能适应半导体技术发展的要求。氧化锌（ZnO）和氮......
数字X射线成像方法可以实现对电力电缆耐张线夹无损检测,获得清晰直观的X射线数字图像.通过X射线的无损检测技术能够检验出电缆线......
为建立不敏感弹药或不敏感引信在战备和后勤贮存过程中的有效防护,以装填JH-14C某引信传爆序列为研究对象,开展冲击波、破片作用下......
纳米机械传感器因其灵敏度高、体积小等优点,在生物、化学传感器的应用中得到了广泛的研究。微悬臂梁光波导传感器作为一种新兴纳......
近年来,高压电缆阻水缓冲层烧蚀故障引起了行业内的关注.该文总结了缓冲层结构发展历程、烧蚀故障特征和故障原因.通过理化分析发......
近年来高压电缆缓冲层故障频发,可能由波纹护套与缓冲层空气间隙局部电场畸变引起,现有电场仿真研究缺乏对波纹护套压纹深度、节距......
近年来,国内110 kV及以上电压等级电缆发生多起缓冲层烧蚀故障.采用有限元法建立了高压电缆轴向仿真模型并开展了电-热耦合仿真,研......
用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(NiFe)Cr为缓冲层的NiCo薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明:用厚度为4.5nm的非磁性......
黄铜矿Cu(In,Ga)Se2(CIGS)太阳能电池的光电转化效率一直高于锌黄锡矿(CZTS)太阳能电池,目前,Cu(In,Ga)Se2(CIGS)的冠军效率是23.3......
该文分析了影响SiN/40Cr钢接头强度的因素。采用合适的钎焊工艺促进陶瓷和钎料的冶金相容和冶金反应。利用压力钎焊促进缓冲层产生......
化合物半导体异质结CIGS 太阳电池作为薄膜电池的重要组成部分,拥有巨大发展潜力。其典型结构通常需要溅射、蒸发和水浴等若干种工......
PCBM 被广泛用于平面n-i-p 型钙钛矿太阳能电池中的电子传输层和钙钛矿层间的界面修饰。但是PCBM 差的润湿性影响钙钛矿涂覆和结晶......
以氯化铟(InCl3·4H2O)、硫代乙酰胺(CH3CSNH2)混合溶液为前驱体溶液，加入适量的柠檬酸为络合剂，采用化学浴沉积法在玻璃衬底上成功......
本文基于新远东电缆有限公司与西安交通大学电气绝缘研究中心于2013年合作研究《高压XLPE绝缘电缆金属护层及其内部缓冲层结构对电......
硒化锑(Sb2Se3)化合物具有物相单一稳定、吸收系数高、禁带宽度合适、组成元素地壳丰度高等优点,是一种很有潜力的无机化合物薄膜......
研究抗疲劳剂PA-600在全钢载重子午线轮胎缓冲层中的应用.结果表明,PA600在提高胶料与帘线的H抽出力方面表现卓越,同时可改善炭黑......
采用射频磁控溅射技术在玻璃上制备InxSy缓冲层,溅射功率范围从30W到100W.通过能量色散X射线光谱仪(EDX)、扫描电子显微镜SEM和紫......
会议
采用MOCVD设备对Si衬底上生长GaN进行了研究，通过AIN缓冲层与GaN质量对比研究，发现GaN的晶体质量对AIN缓冲甚的晶体质量有明显的依赖......
本文尝试以以溅射工艺制备Zn(O,S)缓冲层代替传统工艺的CdS层和i-Zn0层，不仅工艺步骤得到简化，并且使整体工艺均在真空环境下进行，以......
ZnS无毒、来源丰富、价格低廉、禁带宽度大,可提高电池的蓝光光谱响应、开路电压和短路电路,减小电子亲和势,电池转换效率高等。这......
本文研究了高温AlN缓冲层厚度对 Si(111)衬底上GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量的影响，实验采用MOCVD方法在Si(111)衬底上外延生长......
从理论上研究缓冲层的厚度和特性对多量子阱材料(GaAs/Ga1-xAlxAs)中的共振态的影响,利用界面响应理论的格林函数方法,计算了局域......
利用磁控溅射方法，作者以不同厚度的(LaCuO)作为缓冲层，在SrTiO(STO) 基底上外延生长了相同厚度的LaSrCuO薄膜。X光衍射分析结果表明......
利用超薄SiO作缓冲层，在Si(100)衬底上成功地制备了高度c取向的PZT薄膜，SiO的厚度对PZT薄膜的单相单一取向性有重要影响。所得PZT薄......
我们在不同的温度下在c面蓝宝石衬底上生长了氧化锌的缓冲层,并在此基础上继续生长出了高质量的氧化锌薄膜.X射线衍射(XRD)显示,缓......
会议
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上生长InGaAs材料。采用两步生长法制备InGaAs材料,研究低温生长的缓冲层I......
采用化学溶液法在Niw(200)基带上进行了Ce1-xSmxO2-y(x=0,0.2，1)缓冲层的制备及生长机理研究。结果表明，化学溶液法可以成功制备出双......
本文研究了pin 型非晶硅（a-Si）太阳电池p/i界面掺碳缓冲层（C-buffer layer）沉积时间对电池效率和稳定性的影响。研究发现，随着掺碳缓冲......
用ＵＨＶ／ＣＶＤ法在７８０℃生长了锗硅外延层，并利用双晶Ｘ射线衍射仪研究了组分渐变缓冲层对外延层晶体质量的影响。结果表明，缓冲层的组分从衬底到外延......
会议
本文以硝酸镧和硝酸铝为原料，乙酰丙酮和丙三醇为添加剂，乙醇为溶剂配置了LaAlO3 溶胶，采用溶胶-凝胶法在LaAlO3 单晶衬底上制备LaAlO......
