金属栅相关论文
当金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）于20世纪60年代首次制造时,使用铝（Al）作为栅电极。但是,由于Al的熔点低,不适合工艺,所以被......
在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性......
用半绝缘多晶硅(SIPOS)膜代替了平面器件的二氧化硅钝化层。SIPOS膜是掺杂氧原子或氮原子的化学汽相淀积多晶硅,验证了掺氧多晶硅......
热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段.系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO2/SiO2......
在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题.文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Me......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在工程师们试图使高k介质和金属栅迅速地进入生产的同时,科学家们正在忙于对这些新型叠层结构的电学性质进行快速的表征.......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性,提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的......
实验并研究了采用金属栅工艺的全耗尽SOI MOS器件。采用LDD结构，以减小热载流子效应，防止漏击穿；采用突起的源漏区，以增加源漏区的厚度......
随着超大规模集成电路技术的发展，CMOS器件的制备过程需要同时引入金属栅和超浅结等新的先进工艺技术，因此各种新工艺的兼容性研究具......
本发明公开了一种Mo基／TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，该方法先在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅、TaN金......
GLOBALFOUNDRjES日前宣布，其在德国德累斯顿的Fab1工厂出货已超25万个基于32n／n高K金属栅制程技术（HKMG）的半导体晶圆。这一里程碑体现......
随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅栅耗尽效应、过高的栅电阻和PMOS管的硼穿透效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障......
4G网络给手机用户的生活带来了很大方便。随着4G手机用户越来越多，4G网速已经不如之前那么快了。有什么办法能让4G手机网速更快吗？下......
煤是我国最重要的能源之一,在大型机械化切割开采过程中伴随着大量矿尘的产生,这不仅造成职业健康危害,引发现场作业人员尘肺病等......
基于Synopsys SWB仿真平台,研究了高K介质金属栅器件中栅功函数变化在N/PMOSFET器件的影响；模拟和分析了金属栅功函数在Lgate=32 nm......
研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术.研究表明，通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功......
就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论，针对超深亚微米集成电路可靠性问题，提出可靠......
随着集成电路特征尺寸的不断缩短，利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然，确保这些新的......
传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求，因此需要金属栅极材料来取代多晶硅。本文综述了多晶硅栅极存在的问题；金属栅......
随着CMOS集成电路技术节点缩减到45 nm及以下,高K金属栅(HK/MG)的后栅集成工艺已逐渐成为先进集成电路制造中的主流技术。其中金属......
夏季蚊虫肆虐,小巧、实用、方便的电热驱蚊器、电子灭蚊灯、电蚊拍等驱蚊小电器成了家庭驱蚊除蚊的有效装备。驱蚊小电器驱蚊效果......
耦合理论广泛应用于声表面波器件模拟和设计中。该文利用有限元分析软件与耦合模（COM）理论分析了金属栅阵中声表面波的传播特性，得到......
随着MOS器件尺寸的缩小,进一步提高器件工作性能面临诸多挑战。许多新技术被开发出来用以克服这些挑战,例如为降低栅极漏电流需用......
随着CMOS集成电路器件尺寸的不断变小,高k栅介质的使用已成为必然。但由于多晶硅栅存在耗尽、硼穿通和与高k栅介质的不兼容(如费米......
随着器件尺寸的不断缩小和电路集成度的不断提高,高k /多晶硅栅结构中的费米钉扎使得多晶硅不再是理想的栅电极。有研究称高k /金......
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小，绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄，由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变......
期刊
随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺，高K／双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和掺杂结合两步全硅化工艺的方案，可实现低功......
对于使用双金属栅结构的 CMOS器件而言,是否能够成功的将这项工艺进行集成整合取决于工程师们对硬掩膜技术以及化学湿法刻蚀试剂的......
