超浅结相关论文
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测......
随着超大规模集成电路技术的发展，CMOS器件的制备过程需要同时引入金属栅和超浅结等新的先进工艺技术，因此各种新工艺的兼容性研究具......
尽管已经出现了多种工具和概念，但超浅结（USJ）的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上，要夺得这一圣杯，你需要绘......
综述了近年来激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用。指出了现有的广泛用于集成电路结形成的离子注入加快热退火技术，不能适应纳米......
半导体材料是微电子器件和光伏器件的基础材料,其杂质和缺陷特性严重影响器件性能。伴随微电子器件集成度和光伏器件转化效率的提......
体硅CMOS技术始终是硅微电子技术的主流,随着CMOS技术进入深亚微米乃至纳米时代,如何利用微米工艺实现纳米器件,成为Si工艺技术的......
利用能量为5—20keV、剂量为5×1014—5×1015cm-2的BF+2和As+注入硅中,以快速热退火激活杂质并控制杂质的扩散再分布,可以得到结......
团簇离子束是带电的团簇,可以在电场、磁场作用下加速、传输或偏转,形成几个eV到几个MeV能量的离子束。文中阐述了团簇离子束的基......
基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室......
基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该......
期刊
介绍了一种P型超浅结的制作工艺。该工艺通过F离子注入和快速热退火技术相结合,获得了比较先进的100nm以内的P型超浅结;重点研究了......
MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及......
为了改进集成电路性能和速度,需要不断缩小器件尺寸,高掺杂且突变的超浅源／漏结的是高性能MOS器件所必需的。但传统的掺杂浓度测量......
用反应离子刻蚀（RIE）剥层的微分霍耳法（DHE）对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p＋n结进行了电学表征.通过对超浅p＋n结样品RIE剥层的DH......
利用能量为5—20keV、剂量为5×1014—5×1015cm-2的BF+2和As+注入硅中,以快速热退火激活杂质并控制杂质的扩散再分布,可以得到结......
