微电子技术的发展水平和规模是标志国家经济实力的重要标准之一。光刻工艺是集成电路制造中的关键工艺之一,也是电子器件制成中必不可少的工序之一。在光刻工艺中,聚酰亚胺厚膜工艺是长期困扰功率器件良率提升的一个难题。聚酰亚胺厚膜工艺是在金属层或在涂有氮化硅的表面制备一层聚酰亚胺涂层,作为阻挡层或者隔离层,可以确保在封装前保护芯片免受外界环境影响,然而在聚酰亚胺光刻工艺制程中经常会出现多种缺陷,例如涂胶箭影缺陷、鼓泡缺陷、划片道显影残留缺陷等。本文研究了聚酰亚胺光刻工艺制程中出现的三种缺陷:（1）研究结果表明聚酰亚胺喷胶方式、胶量、喷胶次数及甩胶转速等因素对涂胶箭影缺陷均有影响,最终使用一种新的喷胶方式,即在不增加聚酰亚胺用量情况下,使用螺旋状喷胶方式进行优化,并结合优化晶圆表面图形结构,减少划片道深度,最终箭影缺陷由原来的每片晶圆30颗左右降低至2-3颗,达到产品出货以及质量检测标准,涂胶箭影缺陷得到基本解决。（2）研究结果表明匀胶后烘烤温度、烘烤时间、烘烤排气及晶圆距离热盘高度对鼓泡异常均有影响,最终通过优化烘烤程序,即在烘烤过程中通过缓慢下降的方式改变晶圆在热板上的高度,并结合改变晶圆表面结构,减少划片道深度,最终鼓泡缺陷由原来的每片晶圆26颗左右降低至0-1颗,达到产品出货以及质量检测标准,鼓泡缺陷得到基本解决。（3）研究结果表明显影过程中的Puddle时间、Puddle次数及通孔光刻层光刻版图形均会影响划片道内聚酰亚胺残留缺陷,充分考虑在生产过程中显影液腐蚀铝条图形等因素,最终优化显影程序为2次puddle,每次puddle时间为40 s,增加了显影工艺窗口,彻底解决划片道内聚酰亚胺残留异常缺陷。