硅片表面相关论文
通过丝网将腐蚀浆料印刷到带有阻挡扩散层的硅片表面，腐蚀出一定宽度的正面栅线图形，此浆料印刷性好，腐蚀性强，清洗方便，无污染，可实现通......
酸制绒是多晶硅太阳能电池生产中的重要工序，可以去除硅片表面的损伤层和油污，同时形成绒面，有效的降低电池表面的反射，增加光的吸......
薄膜硅/晶体硅异质结( HIT) 太阳电池是一种有发展前景的高效低成本电池，受到人们的重视。本文以p 型单晶硅为衬底，利用等离子体......
用FeNO3和HF的水溶液在140℃下与对重B掺杂p型(111)单晶硅片的水热腐蚀,可得到一种复杂的层次结构Si-NPA,微米尺度上有大量高2-3um......
对于单晶硅太阳电池或HIT 太阳电池而言,硅片表面的织构化处理可以有效增加电池对入射光的吸收,提高光电转换效率.本文采用NaOH(添......
本文阐述了硅微尖阵列的制备工艺。实验以直径4英寸的n型(100)晶向的硅片为基片,首先在硅片表面氧化生成一层厚度为250nm的二氧化......
用模态分析的理论和方法，对离散的高频微加速度传感器整体结构模型进行了动态响应仿真分析。根据设计需要，对结构施加了平峰阻尼；并对......
在半导体生产过程中，硅片表面金属离子的污染可使二极管、晶体管性能变差，反向饱和电流迅速加大，甚至有可能使整个管子报废，器件完全失......
利用液相法在硅片表面原位生长了银纳米粒子,并用表面增强拉曼法来检测罗丹明6G。当罗丹明6G的浓度低至1×10M时,仍然收集到很强的......
本文研究了DHF溶液中金属Cu在硅片表面的沉积情况和几种特选的螯合剂在DHF中的应用.GFAAS的测试结果表明:DHF溶液中加入少量螯合剂......
本文根据菲涅尔-基尔霍夫衍射公式对EAM技术进行了模拟计算,推导出了采用EAM技术时硅片表面的光强分布,分析了EAM技术的实用条件及......
本文采用HF、HNO溶液处理样品,用ICP-MS方法对溶解下来的硅片表面BPSG中B、P含量进行检测,取得了良好的结果,节约了外汇和检测时间......
本文介绍了一种含表面活性剂和螯合剂 的新型清洗剂和清洗技术.利用红外吸收谱和X-ray光电子谱,把它和标准RCA清洗技术做了比较.测......
硅片表面存在台阶时，由于光刻胶的折射作用，会在台阶附近造成曝光盲区，引起光刻残胶。该文给出了残胶量与倾角大小、涂胶厚度之间的解......
该文用共焦喇曼系统原位观察了Ｓｉ（１００）表面在ＮＨ〈，４〉ＯＨ／Ｈ〈，２〉Ｏ〈，２〉／Ｈ〈，２〉Ｏ（ＳＣ－１）溶液中的变化过程。研究表明：在硅片浸入ＳＣ－１溶液的过程中，其表面逐浙被两种氧化物......
该文提出了测量硅二维腐蚀速率分布图的一种新方法。该方法利用深反应离子刻蚀(ORIE)在硅片表面刻蚀出垂直于硅片表面的一系列晶面......
本文将研究激光掺杂技术与电镀技术相结合的方法制作晶体硅太阳能电池的栅线。实验采用P型156mm×156mm±0.5mm多晶硅片作为硅衬底......
本文尝试采用超临界CO2萃取技术去除硅片上的有机污染物。通过对萃取前后硅片做电镜扫描和X射线光电子能谱扫描研究了萃取前后的硅......
对于较短的硅纳米线阵列而言，碘酒的钝化处理显示出更好的少子寿命改善效果，当碘酒浓度增加到0.05mol/L时，其样品的少子寿命从2.lμm......
在国家自然科学基金、中科院“百人计划”等项目基金的资助下，中科院新疆理化技术研究所的研究人贝首次利用硅片表面热氧化层的非高......
运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术(ATR-FTIR),研究了Si(111)在不同比例的NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态.通过分析表面......
研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况，尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积。GFAAS的测试结果表明，HF稀溶液中加入少......
公开（公告）号：CNl02527676A公开（公告）日：2012．07．04发明（设计）人：孙良欣；徐国良；郭育林摘要：一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法，包括以下步骤......
盛美半导体（上海）有限公司近日发表了十二英寸单片兆声波清洗设备的最新工艺，本工艺用于45nm技术及以下节点的十二英寸高端硅片清洗。......
前言随着微电子技术突飞猛进的发展，90纳米线宽技术已得到了规模推广，一个芯片已集成至几十到上百亿个元器件。与此同时，图形的微细加......
以甲氧基聚氧化乙烯丙基三甲氧基硅炕对硅片表面进行改性，使其表面具有良好的亲水性能。用考马斯亮蓝法考察了硅片在不同浸泡时间和......
对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,......
