外延衬底相关论文
ＬｉＧａＯ２与ＧａＮ的晶格失配率只有０．２％，是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验，用提拉法生长了尺寸为Φ１５×６０ｍｍ的高质量ＬｉＧａＯ２单晶，利用化学侵蚀，光学显微......
近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图......
根据YAG和GGG晶体的性质，研究制订出从晶体外圆滚磨、定向、切割到研磨、抛光及检验的一套工艺方法，其中抛光工序是最关键的工序。为......
为提高HgI2晶体气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从DSMO-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2外延衬底,进而在外延衬底上气相沉积HgI2多......
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在伟大领袖毛主席关于“抓革命,促生产,促工作,促战备”的教导指引下,我们分析了当外延片的表观质量、电阻率、外延层厚度、层错......
广泛地研究了GaAs MESFET在栅偏置和衬底偏置下的长期漂移现象,目的在于发现产生此漂移现象的主要原因是表面还是外延衬底界面。观......
一、引言在固体电路工艺中,要生长缺陷少的外延材料,除对外延工艺探求其规律,严格控制之外,提供一个理想的衬底则是一个必要的和......
利用GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结构,加上条形结构可以获得在室温下连续工作的半导体激光二极管。我们利用通常的液相外延方法生......
用抗辐照体硅栅CMOS电路设计成微处理机系列。系列的三个主要产品是英特尔NMOS器件的逻辑模拟:SA3000-通用8位中央处理机(CPU)(Int......
本文全面介绍了双晶衍射的原理及在半导体材料、器件研究中的应用情况,着重叙述了双异质结晶格失配测量的原理、方法和结果。
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一、引言 半绝缘砷化镓晶体是砷化镓场效应晶体管(FET)的衬底材料,它的质量直接影响FET器件的性能,特别是该器件采用离子注入工艺......
自1978年以来,半绝缘Ⅲ-Ⅴ族化合物材料会议每两年召开一次。第四届会议于1986年5月18至21日在日本箱根举行。参加会议的国家十分......
一、引言在双极型集成电路生产中,为了提高电路速度,采用了薄层外延,对通隔离和浅结扩散工艺。对通隔离的下隔离是作在外延之前的......
用高空间分辨本领的富利埃变换红外光谱研究了CZ法生长硅薄片中氧的沉淀.用此技术我们能探测到单个沉淀物的聚集所贡献的1230cm~(-......
据日本《电子材料》1991年第2期报道,日本电气公司已研制成适用于最新超级计算机和光通信用的ULSI,栅延迟时间为10ps的超高速工作......
文中简要介绍了ＣｄＺｎＴｅ晶体用作ＨｇＣｄＴｅ外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体的生长方法及其特状，概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体的生长方法及其特点，总结了影响......
<正> 内容简介:钆镓石榴石GGG是磁泡存贮器件,光磁性器件等最重要的外延衬底,属高硬度脆性晶体。目前加工存在晶体定向精度......
