发光波长相关论文
利用变注入强度的电致发光(EL)测试和数值模拟方法研究了微米LED大注入条件下的发光特性。EL测试结果显示,微米LED(10μm)在工作电......
通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光......
英国雪菲尔大学(SheffieldUniversity)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(AppliedPhysicsLetter)期刊上发布在半极性氮化镓(......
对未掺杂的In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱材料开展了能量为1 MeV、电子注量达1×1016/cm~2的电子束辐照实验。实验结果显示,电......
日本东芝公司开发第二代的具有世界上最高亮度的蓝绿色LED。使用硒化锌,发光波长为500nm,减少了波长模糊现象,能发出单色性非常好......
近年来,GaN基半导体器件尤其是InGaN/GaN LED在晶体生长、薄膜制备以及光电器件制备等方面取得多项重大技术突破,已广泛用于各种显......
本文设计了一系列的金属铂(II)、钯(II)配合物。通过替换与金属直接耦合的功能配体或者在配合物的配体上引入不同的取代基来调节配......
在有效质量近似下,通过变分方法研究了束缚于闪锌矿InGaN/GaN量子点中的激子态.详细研究了振子强度和发光波长随InGaN/GaN量子点结......
期刊
利用变分原理及有效质量近似,研究In组份对InxGa1-xN/GaN量子阱光学性质的影响,结果表明,考虑内电场的影响后,电子与空穴复合率减......
采用Suzuki方法合成了9,9-二辛基芴与萘并硒二唑的两种无规共聚物并研究了其紫外光谱、光致发光和电致发光性能.两种聚合物的电致......
采用在OLED有机层中夹入与主发光材料不同的发光材料薄层标记发光区域,介绍了复合发光区域位置随电压变化而移动的现象.在以Alq为......
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结......
在考虑内建电场效应和量子点（QD）的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的......
在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为-e的离子受主束缚激子（A~,X）的发光波......
聚对苯二甲酸乙二酯(PET)的荧光光谱已经得到了相当广泛和深入的研究[1,2].当激发光波长位于310～360 nm时,可以观察到位于360～390 nm......
针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm......
阐述了量子点内能级结构与应变的关系,用ANSYS7.1计算了有缺陷和无缺陷两种情况下InAs/GaAs量子点的应变分布,通过对计算结果的比......
在有效质量近似条件下,利用变分法计算了量子点高度对GaN/AlGaN量子点光学性质的影响。研究了激子结合能、量子点发光波长、电子-......
<正>1前言在OLEDs显示的市场上,人们普遍把红色荧光染料4-（dicyanomethylene）-2-t-butyl-6（1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl）-4H-......
该项目设计、研制了N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-4，4’联苯二胺(TPD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、1，3-双(5-苯基)-1，3，4噁二唑苯(OXD)......
近日,清华大学微电子所任天令教授课题组在《自然-通讯》（Nature Communications）上在线发表了题为《光谱可调的柔性全石墨烯基场控......
随着发光二极管发光效能的不断提高,发光二极管无疑为近几年来最受重视的光源之一。一方面凭借其轻、薄、短、小的特性,另一方面借......
近日，湖南大学邹炳锁教授领衔的纳米光子学小组与美国亚利桑那州立大学宁存政教授领衔的纳米光子学小组合作，将半导体激光芯片调谐范......
垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)不同于其他普通光源,它具有较小的圆心光斑输出,单颗器件尺寸......
<正>LED是发光二极管(light-emitting diode)的简称。自上世纪90年代氮化镓(GaN)基蓝光LED发明以来,其技术和应用不断进步,形成了......
<正>目前,直接制版技术(CTP)在全球范围内得到广泛认同和采纳,其未来发展受到诸多的关注。本刊编辑部特邀业内专家蒲嘉陵从技术和......
