分子束外延技术相关论文
相变材料在光电开关、智能玻璃、相变储存和忆阻器等方面有着广泛的应用前景。二氧化钒作为一种典型的相变材料,因其在68℃附近表......
具有钙钛矿结构的混价锰氧化物LaSrMnO是一种庞磁电阻材料.由于其在磁电阻存储器、读写磁头及各类磁传感器方面潜在的应用前景以及......
利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器、内光学损耗为2.1c......
由于InN的发光波长可以延伸到长波长通讯波段，使得InN材料在光纤通讯系统中使用的激光器和光二极管上具有潜在的应用价值，有可能......
本文通过用锗硅虚拟衬底调节硅应变的方法，来研究应变对于硅基磁性半导体表面形貌和结构影响。本文首先在硅衬底用分子束外延(MBE)......
本文利用分子束外延技术(MBE)制备了InAs/GaSbⅡ型超晶格材料，然后采用透射电镜(TEM)对材料的微观结构进行了分析，旨在为超晶格......
InAs/GaSbⅡ类超晶格是近年来迅速发展起来的Ⅲ-V族红外探测器，根据理论计算，超晶格红外探测器在长波波段的探测性能更有优势，近年来，I......
一、引言分子束外延技术(简称MBE)是制备超薄多层晶体膜的技术之一.它制做的薄膜厚度可以薄到单原子层或单分子层的厚度,这就意味......
进一步提高我国分子束外延技术的探讨孔梅影，梁基本，曾一平（中国科学院半导体研究所北京１０００８３）十多年来，我国的分子束外延（ＭＢＥ）技术从无到有，并不断......
据国家自然科学基金委员会1996年7月25日报道,我国科研人员自行设计、加工的我国第一台激光分子束外延设备已在中国科学院物理研......
世界上很多学者都在进行对可用作光学波导管的掺稀土材料的研究。其中,L.E.Bausa等人进行的有关实验表明,掺铒的氟化钙层显示出可......
一、材料生长1.HgCdTe分子束外延技术:材料性能集锦(Owen K.Wu)2.分子束外延中HgCdTe生长条件的精确控制(Masaya Kawano)3.利用三......
我国第１台激光分子束外延设备研制成功１９９６年５月下旬，国家自然科学基金委员会信息科学部会同中国科学院王大街院士、吴全德院士等专家，对中......
利用分子束外延技术，生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器．在腔长900μm时，80μm宽接......
利用分子束外延技术研制出了高质量ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱材料及量子阱激光器，在室温和１０Ｋ温度下，应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为３２ｍｅＶ和２．４ｍｅＶ，宽接触激......
本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长......
为了达到国防部提出的获取低成本高性能红外焦平面列阵的目标,人们需要一种制造技术,这种技术根据器件的配置和截止波长具有内在的......
半导体超晶格由两种材料纳米厚度的周期叠层（量子阶和势垒）组成。这种人工晶体的周期d（～5nm）一般都很大于大块晶体的晶格常数（～0．5nm）。这种......
１．引言外延生长是半导体材料和器件制造的最关键的工艺技术，外延技术的发展与材料及器件的发展互相促进，共同发展。外延生长技术的应用......
第一次报导了HgCdTe双色探测器的性能和它的分子束外延生长材料,这种器件能同时探测4.1μm和4.5μm的辐射。在原位进行掺杂的器件......
利用分子束外延技术生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ折射率渐变分别限制单量子阱结构材料。用该材料作出的激光二极管作泵浦源对Ｎｄ：ＹＡＧ激光器进行端面泵浦实验，在......
用分子束外延技术在ｐ型Ｓｉ衬底上生长成了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层超晶格和掺铒（Ｅｒ）ＳｉＯｘ外延层，用无接触法测量了它们的横向磁阻，并且用拟合方法由横向磁阻计算了它......
用简单的几何模型计算了双激子体系的束缚能，得到二维双激子与单激子的束缚能比率随σ＝ｍ＊ｅ／ｍ＊ｈ从０．３２４到０．２２８之间变化，与前人的实验和理论结果符合较好......
传统分子束外延(MBE)技术是不能生长含磷化合物的,原因在于通常情况下磷会带来很高的饱和蒸气压,使得生长难于控制。近几年来兴起......
本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材......
我国首家化合物半导体材料企业—中科镓英半导体有限公司,日前在北京奠基,这标志着我国半导体材料产业迈上了新台阶。一两年后,从......
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为 10 35 cm2 /(V· s) ,二维电子气浓度为 1.0× 10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为 2 6 5 3cm2 ......
提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生......
成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT- Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬......
美国HRL实验室近日公布了一项新型GaN高频功率放大器的研究成果,这项研究将大大推动今后宽带无线接入技术的发展。这是第一个W波段......
用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌。在样品的表面观察到不稳定三......
介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和H......
分子束外延最早是由G.Gunther于1958年提出来的[1]。其实质是一种非平衡条件下的真空沉积。简单说来,就是把要外延的有关材料放在......
报道了掺杂在GaAs体材料中和δ掺杂在一系列GaAs/AlAs多量子阱中的Be受主带间跃迁的光致发光.实验所用样品,GaAs体材料中均匀掺杂B......
对一系列δ掺杂浅受主铍(Be)原子的GaAs/AlAs多量子阱和均匀掺杂Be受主的GaAs体材料中Be原子的能级间跃迁进行了光致发光(PL)研究.......
俄罗斯科学院半导体物理研究所西伯利亚分所已利用分子束外延技术在32×32元读出集成电路上制备出一个HgCdTe单片红外探测器。该单......
采用分子束外延技术生长GaAs/AlAs三量子阱,并在中间的GaAs阱中δ-掺杂浅受主杂质Be原子,制作出量子限制受主远红外Teraherz原型电......
通过分析对比蓝宝石衬底和金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的优缺点,指出了金属所具有的独特优异的物理及化学性能,以及金......
氧化物分子束外延薄膜和异质结生长技术近年来迅速发展,人们已实现以单原子层的精度来精确生长多种复杂量子材料,有力地推动了铜氧......
采用分子束外延技术对δ掺杂GaAs/AlxGa1 xAs二维电子气(2DEG)样品进行了生长.在样品生长过程中,分别改变掺杂浓度(Nd)、空间隔离......
采用气源分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs束缚态向连续态跃迁的太赫兹量子级联激光器材料,基于半绝缘等离子体波导工艺制作了太赫......
