杂质分凝相关论文
应用单向凝固技术,用冶金级硅制得单向凝固试棒。研究了多晶硅试棒凝固过程中杂质分凝特性、杂质元素的轴向分布规律及提纯效果。......
对等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）和低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）两种方法制备掺杂多晶硅膜进行了详细的实验研究，通过时两者进行比较，对淀积的动力学特......
本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜电阻率的温度特性．在室温～４５０℃较高温度范围，实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极......
介绍了双极工艺基区和发射区结构模拟所涉及的物理模型，包括与单种工艺有关的杂质分凝模型、硼的间隙扩散模型及高浓度磷扩散模型等......
以 Ｐ Ｍ Ｏ Ｓ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟，进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式该成果对 Ｐ沟......
本文为“碳酸钙形成过程中重金属离子的配分问题研究”的第二部分。上文介绍了配分问题的理论基础、实验方法和重金属离子的配分特......
得益于金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）性能提高、尺寸缩小,半导体集成......
在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底上制备了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET),并用相似的工艺方法制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管......
ＥＥＰＲＯＭ要求场开启电压≥２０Ｖ，Ｐ－Ｎ结击穿电压也要求≥２０Ｖ，前者需提高场区杂质浓度，而后者则需要降低场区杂质浓度。通过工艺模拟和实验找到了一种化解这......
采用金相显微镜,X射线异常透射,X射线反射和红外显微镜技术研究了舟生长的重掺Te—GaAs体单晶(n>10~(18)cm~(-3))的不均匀性。观察......
采用红外吸收法测定熔体生长掺硅的GaAs单晶的补偿比。实验结果表明:当2×10~17...
本文对硅晶体管制造中当硅片经过杂质予沉积和热氧化再分布中产生杂质分凝后的扩散层薄层电阻进行了计算。给出了与实验数据符合得......
本文阐述水平三温区炉生长的掺杂(Si,Te或Cr)GaAs中位错的腐蚀观察工艺和基本原理。详细探讨了由化学腐蚀所获得的一些结果,诸如位......
卤素灯已用于使SiO_2上淀积的多晶硅再结晶。已获得单晶。在再结晶膜中出现100～200微米宽的二次晶粒。我们提出采用透射电子显微镜......
本文系统地研究了多晶硅薄膜载流子迁移率与掺杂浓度的关系,发现不仅如前人所指出的那样,多晶硅载流子迁移率在中等掺杂区有一极小......
轻掺杂多晶硅的低温退火特性揭示了来自二氧化硅层中的氧对多晶硅电学行为有重要影响。本文从实验上进一步证实了氧在多晶硅晶界引......
随着大规模集成电路的发展,场效应晶体管的特征尺寸不断按比例缩小,以期获得更低的成本和更好的性能。但是,当器件尺寸进入了亚100......
器件尺寸追随摩尔定律不断缩小到纳米尺度时，硅基CMOS器件的性能提升将受到来自物理和工艺的双重限制。锗材料以其更高、更加对称的......
该文选取Sr(NO)作为研究对象,围绕晶体生长固/液界面杂质分凝机制的探 索,开展了一系列的研究.主要有以下的结果:1、晶体生长速率......
以ＰＭＯＳ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟，进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式。该成果对Ｐ沟道ＭＯＳ器件......
研究了绝缘栅栅氧化过程中的杂质分凝效应，探讨了微电子ＣＡＤ工艺模拟系统实现计算机辅助分析的模式......
本文以ＰＭＯＳ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化过程进行了计算机动态模拟。提出了抑制杂质分凝的栅氧化新模式。......
本文介绍了改良西门子法多晶硅生产中的硅芯制备技术,包括区熔法硅芯制备技术和切割法硅芯制备技术。简要介绍了两种硅芯制备技术......
由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释......
本工作研究了Ba3+，Pb2+，Ca2+等9种金属离子在Sr(NO3)2晶体生长过程中的分凝行为。采用蒸发溶剂方法生长晶体。蒸发溶剂的温度固定在4......
浮区结晶法是生长体单晶的重要方法之一．本文从理论和实验两方面综述了浮区结晶法中熔体内宏观场对体单晶中杂质分布均匀性影响的定......
应用单向凝固技术,用冶金级硅制得单向凝固试棒。研究了多晶硅试棒凝固过程中杂质分凝特性、杂质元素的轴向分布规律及提纯效果。......
本文用低温溶液晶体生长方法 ,研究了Sr(NO3 ) 2 晶体生长过程中Pb2 +离子对于杂质分凝、晶体质量和晶格参数的影响。1 Pb2 +在同......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
近年来,多晶硅市场迅速增长,亟需研发低成本、无污染和工艺稳定的多晶硅制备方法。利用冶金法技术可以有效地去除硅中金属杂质、B......
