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带隙能态相关论文
多晶硅TFT有源层晶粒间界的研究
由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释......
期刊
悬挂键
带隙能态
氢化
晶粒间界
多晶硅TFT
有源层
多晶硅薄膜
杂质分凝
带隙
载流子
dangling bonds
gap state
hydroge
基于OEMS表征的多晶硅薄膜晶体管带隙能态及其器件模型研究
随着多晶硅薄膜晶体管(TFT)技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为......
学位
多晶硅薄膜晶体管
带隙能态
表面势
漏电流
泄漏电流
双栅
光电子调制谱
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