悬挂键相关论文
本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素 Cr 的非晶硅基薄膜 a-Si1-xCrx 的光吸收特性.研究结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外......
对高Al组分AlxGa1-xN(x=50%)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相......
4 非晶硅中氢(H)的作用(1)钝化悬挂键实际上早期采用蒸发方法制备的非晶硅材料并不含有氢(H),所以写成a-Si.缺陷态密度很高,很难制......
1、简介rn我公司研制的卧式PECVD设备专门应用于太阳能电池制造领域中氮化硅薄膜的淀积工艺.rn由于PECVD淀积氮化硅膜时,在生长氮......
研究了在KOH溶液中(110)硅片的腐蚀特性,在保证(110)面的平整和{111}面的光滑的腐蚀实验条件下,利用(110)面和{111}面腐蚀选择比大......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，研究了扶手椅型二硫化钼纳米带的几何构型与电子结构，发现其稳定性与电子性质敏感地依赖......
上述光诱导的衰退经过150℃、几个小时或250℃、几分钟的热退火处理，对新产生的悬挂键进行钝化后，又会回到其起始值。退火后的状态称......
由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释......
对半导体GaAs的高低密勒指数表面的性质进行了比较研究.根据表面的原子排列分别计算了(001)、(114)、(113)、(112)和(111)各晶向的......
以碳化硅单晶为代表的第三代宽禁带半导体材料的碳化硅半导体电力电子器件具有比硅基电力电子器件更高的耐压能力和更低的功耗性能......
利用第一原理的离散变分方法计算了生长中纳米碳管团簇的电子结构,发现悬挂键的存在导致管口处的电子结构明显地不同于管体,对应的......
为了将多孔硅应用于含能材料的制备,采用电化学双槽腐蚀法制备了平均孔径4.3 nm,厚度超过100μm的不龟裂多孔硅薄膜,利用硅烷偶联......
离子注入和退火技术（索尼）野口隆１前言多晶硅ＴＦＴ已在ＬＣＤ、ＬＳＩ存储器两个领域中成为重要的开关元件。对于６００℃以上工艺，离子注入和退火技术就成了提......
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硅纳米晶体由于具有新颖的电学和光学性能,在光电子、光伏、显示和生物标记等领域拥有广阔的用途前景。本论文的工作,集中在研究硅......
利用集团模型探讨了硫对砷化镓（１１０）理想表面悬挂键的饱和作用，着重于定性讨论硫去除禁带内砷化镓表面态的可能性这有助于了解硫钝化砷化......
通过对蛇纹石化学成分、晶体结构及键性的分析,将蛇纹石的活性基团划分为5类,即不饱和Si-O-Si键、O-Si-O键、含镁键类、羟基和氢键......
随着多组分系统的器件结构的大小降低到原子或者纳米尺寸,界面结构和特性变得越来越重要,有时甚至会对整个结构的性质起决定作用,......
