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采用差分法求解有效质量方程，考虑轻重空穴的混合效应及应变效应，对三种不同形状的量子阱的能带结构、价带态密度、跃迁矩阵元进行了......
采用改进的Lee-Low-Pines变分方法研究纤锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱材料中磁极化子能级,给出纤锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中磁极化......
通过求解修正的基于k.p方法的有效质量哈密顿方程并与泊松方程进行自洽,得到在极化效应影响下的不同阱宽和垒厚的InGaN/GaN多量子......
分析了阱宽、垒高和应变对量子阱材料TE模和TM模折射率的影响,并剖析了其中的物理机理.研究表明:对于量子限制效应带来的量子阱折......
考虑电子有效质量及禁带宽度随流体静压力的变化,讨论有限深量子阱中电子的基态能.对GaAs/ALxGa1-xAs量子阱系统中电子的基态能进......
为优化二次谐波产生器件的性能,研究和开发新的非线性光学材料, 对半导体非对称阶梯量子阱结构的性质进行了研究.计算了共振增强效......
本文采用变分法研究了阱宽对氮化物抛物量子阱的影响，结果表明，抛物量子阱阱宽对能量的影响是很明显的，基态能量和第一激发态能量随阱......
采用变分法,研究了外界磁场对抛物量子阱中基态能量的影响,并给出抛物量子阱CaN/AlxCa1-xN中的数值结果.研究结果表明,基态能量对......
随着探测领域的不断扩大和深入,人们对高性能量子阱红外探测器的需求也越来越迫切。为了解决这一问题,从量子阱红外探测器性能对探......
采用有效质量框架下一维有限深势阱模型对InGaAsP多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算，利用更符合实验结果的Harrison模型来......
