反偏相关论文
中学物理实验室都要求配置规格为2kVA的自耦调压器。如图1－(a所示,由自耦调压器的AB端向里看,它是一个有固定匝数的铁芯线圈,也就......
在初中阶段,电路出现的故障主要是短路、断路.我们要学会根据实验现象来判定是哪部分电路出现了何种故障.现把电路中常出现的故障......
职业高中试用教材《电工基础》(周绍敏编,高等教育出版社)中,安排了8个电学分组实验.其中,“叠加定理”的实验虽然原理明确、操作......
矩形场限环在器件反偏时的最大电场总是集中于四角，因而求解柱坐标下极角α不变的泊松方程可使场限环三维电场分布的讨论大为简化．在......
利用ＰｔＳｉ与Ｐ－Ｓｉ接触，研制成功肖特基势垒红对光电探测器（简称ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ）。在液氮温度（７７Ｋ）下，对１．５２μｍ红外光，它的灵敏度为２．６９×１０－２Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％，反偏４Ｖ时的漏电流为５×１０－５μＡ。此外......
研究了ＰＩＮ光电二极管和普通光电二极管６０ＣＯγ辐照后的积分光电流、紫外光电流、光谱光电流的变化规律以及光谱光电流与器件反偏电压之间的......
较详细地叙述了３ＤＧ１３５在可靠性研究过程中，技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施，并给出三个检验批次认证的实验结果。
Described in mor......
研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、......
对平面型电力电子器件场环终端进行了优化设计与试验研究．提出了用混合因子Ｍｘ（载流子密度与固定电荷密度之比）作为判断理想耗尽区近似是......
从理论上分析了强耦合外腔半导体激光器的稳定性。在外腔半导体激光器速率方程分析中引人了强反偏因子近似，通过增益速率－频率平面中......
表示参数范围的数值其词语搭配“三不必”郭生儒１．不必搭配表示起始含义的词语表示参数范围的数值，本身已明确指出了参数的上下限，不必......
一台Sherwood RV—6030R功放,断掉交流电源后记忆丢失,但在交流电源接通时,按POWER键,进行待机—开机转换,记忆正常。分析与检修:......
提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管（ Ｃ Ｉ Ｌ Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ），它可以有效地控制高压下阳极区空穴注入，提高器件的闭锁电压。通过对阳极区反......
本文对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格ＰＩＮ探测器进行了分析和设计（其中ｘ＝０．６），并制作出了相应的器件．对典型器件的测试结果表明，在１．３μｍ光照下，反偏电压为－５Ｖ时，光响应电流为......
日本东芝总公司的半导体分公司为了开发下一代晶片加工设备 ,已积极地与日本的设备厂家进行合作。东芝公司和 ULVCA (Chigasaki,神......
晶体三极管在电子电路中是一个关键性的元件,它的工作状态不外乎放大、截止、饱和、开关和晶体管本身损坏五种情况。如何判定三极......
HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°～ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的......
建立了光电探测器的行为模型 .此模型描述了注入光功率与光生电流的关系 ,以及反偏电压对光生电流与结电容的影响 .给出了在统一的......
将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开......
本文阐述了在高温栅偏压(HTGB)和高温反偏压(HTRB)应力条件下对穿通型(PT)IGBT性能的影响。在140℃、经历1200小时完成应力试验。......
对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验.烘烤温度从60℃开始,温度步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一......
娃娃家教的识数、识图是必不可少的一种启蒙教育。通常幼娃识数采用手指的方法,虽然说教法比较直观,但会缺乏娃娃的兴趣。为此笔者......
采用KOH溶液表面处理工艺制备得到了128×1线列日盲AlGaN紫外探测器,器件的反偏暗电流为6.88×10-9A(-8 V时),比未采用此项工艺制......
②长时间过流运行。IGBT管长时间过流运行是指IGBT管的运行指标达到或超出RBSOA(反偏安全工作区)所限定的电流安全边界(如选型失误......
问3:晶体管放大原理是怎样的?(续)答:(3)集电结的结面积很大。放大功能的内部条件示意图如图6所示。为使晶体管能放大电流,必须具......
本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(Si Ge HBT)抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模......
针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiG......
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿......
Magazines and newspapers often display information using circle,bar,and line graphs．The following examples illustrate how......
电流表是电学中常用的测量仪器。在用电流表测电流时，要做到：会看（看刻度盘）、会调（调零）、会连（连接）、会选（选量程）、会读（读数）。 一......
One light year(distance travelled by light in one year)is approximately 9 500 000 000 000 kin.The mass of the earth is 6......
一、3铬13钢材制件淬火的硬度问题口腔科手术器械多是用3铬13钢材制成的。一般头部细小,柄部八角形较厚,须全身淬火。根据产品不......
例1 电子线路中常用的一种器材叫二极管,在电路图中的符号如图1所示,它在电路中的作用是:当电流从A端流入时,二极管对电流的阻碍......
鉴别金银首饰,需经过光谱分析仪,才能确定。因仪器昂贵,不可能每个家庭都具备。鉴别金、银器的方法还有火烧、辨色、比重等方法。......
测小灯泡功率的实验是九年级的重点实验,是同学们必须熟练掌握的。实验电路图:实验原理:P=UI。下面的几种现象,在实验过程中经常遇......
常见的电路故障可分为两大类：短路和断路，电路一旦出现故障，将会导致电路中的用电器不能正常工作、电表的示数出现异常(无示数、指针......
多次测量在物理规律的探究实验中是一种常用的方法,而多次测量的目的确因不同实验而不同。在需要测出某个物理量的探究实验中,多次......
故障现象:开机描笔单偏,转动零位不受调,无法使用。分析检修:单偏说明记录器失去平衡,其原因可能是:①记录器本身故障;②放大器电......
问题一:摩托车尾灯闪光电路解答一原文对工作原理的分析基本正确,遗憾的是所附电路图错了。 1.原图D9的正端与R3右端的连接线应与......
本文先对晶体管开关技术作了简要的讨论,指出了射极电流开关在速度和稳定性方面的优越性。给出了典型晶体管的参数,并注意到高速开......
浙江苍南县龙港春雷汽摩配件厂生产的摩托车用电子闪光蜂呜器电路更为简单,性能可靠,适用于6 V和12 V 的摩托车使用。现将其内部......
