反向偏压相关论文
在实际的光伏电站中,外部因素(鸟类、清洁和维护人员、树干、积雪等)会时常遮挡部分钙钛矿太阳电池(PSCs),使得被遮蔽的单元要承受......
我们在 p-i-n 类型和分开的吸收调查了电场的分发，增加(SAM ) 类型在不同反向的偏爱价值下面轧了雪崩光电二极管。我们也分析了每层......
2014年12月10日,国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)发布600V车用IGBT产品AUIRGP66524D0和AUIRGF66524D0,针对混合动......
混成光电探测器的性能和灵敏度填补了简单PIN光电二极管与高增益光电倍增管之间的空白。
The performance and sensitivity of a ......
本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所......
图1(见57页)所示Spice宏模型精确地模拟了双扩散(DMOS)功率MOSFET晶体管。尽管Spice模型作为任何种类运算放大器是很容易得到的,......
在晶体三极管的实验或使用中,不时要涉及到一些晶体三级管共射输入特性曲线的相交。对于为什么会相交这个问题。本文从理论上进行......
本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状况，当器件工作于峰域时，不仅能加快响应速度而且产生新的......
对（HgCd）Te探测器峰值响应波长的Franz－Keldysh偏移进行了实验研究。实验结果表明，在强电场中，（HyCd）Te具有很强的Franz－Keldysh效应，因而可......
合成了性能优良的聚合物——聚对苯乙烯，并采用甩胶方法制备了单层薄膜电致发光器件ＩＴＯ／ＰＰＶ／Ａｌ．在所制备的器件上观察到反向偏压下的电致发光现......
对平面型电力电子器件场环终端进行了优化设计与试验研究．提出了用混合因子Ｍｘ（载流子密度与固定电荷密度之比）作为判断理想耗尽区近似是......
报道了在 GaN p-n 结上制作的可见光-不可见光紫外线光电探测器。这种探测器约在370nm 时有一突变的长波长截止波长,在369nm 时的......
讨论了Ｃ６０作为一种有机半导体材料，与聚合物半导体和有机化合物半导体构成的异质结的一些基本特性，分析了这种结构在半导体光电器件中的......
引用晶体管静态工作点与ｈ参数的关系曲线，分析了静态参量ＩＣ、ＶＣＥ对振荡电路频率稳定、起振、振荡频率的影响。指出恰当地选取静态ＩＣ、ＶＣＥ将改善......
通过顶电极金属材料的选择，考察金属-绝缘体-金属器件的I-V曲线的对称性．并用p-n-n能带模型进行了分析解释．结果表明，采用电负性小于1.......
通过严格的对比实验发现，内调制光电探测器的灵敏度比ＧＣＭＰＤ的高很多。文中还指出了ＧＣＭＰＤ理论的基本错误和实验的欠妥之处。
Through rigorous......
3.3.晶胞Aladdin晶胞是一种三晶体管设计,而不是以前所用的比较传统的四晶体管方案。这样做的目的是出于提高产额和读出速度方面......
应用电容电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的ｎ型Ａｌ掺杂ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ外延层深中心．Ａｌ掺杂ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３的光致荧光强度明显低于不掺杂的......
一、变阻二极管的变阻应用是用来对某些电路起过压保护作用的。某些特殊二极管在受到瞬时高能冲击时(如雷击或过压等),能以极高的......
介绍ＣｒｙｏＲａｄｌ低温绝对辐射计（ＨＡＣＲ），给出通过激光功率控制器（ＬＰＣ）调制过的Ｈｅ－Ｎｅ激光对所研制的Ｓｉ光电二极管陷阱探测系统进行定标的实验及结果分析
CryoRadl l......
本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ，Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ≥３５ｄＢ。调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为......
采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向......
本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型......
以等效电路为工具，重点分析了在开关动态过程中，ＥＸＢ８４１内部稳压管的功耗变化情况；对各影响因素进行了综合分析；所得结论对实际应用有一定的参......
贝尔实验室的研究人员发现一种晶片结合方法 ,可以将 Si/ In Ga As PIN光检测器中的暗电流降低一个量级。原先的粘接法是使 Si和 I......
研究了硅光电二极管经快中子（注入剂量为1011cm2、能量2．45MeV）和O+++（注入剂量为1010cm－2、能量12MeV）辐照后光电参数的变化规律，并通过......
本文给出了Z-元件的p+-p-n-.i-n+实际结构,并详细分析了发生在掺金γ-硅区n-.i中的微电子过程.提出了Z-元件结构中“管道击穿”和......
HSBHue, Saturation,Brightness色彩-饱和-光度HISHue, Saturation, Intensity色彩-饱和-亮度HSMHierarchical Storage Management......
AML通信公司宣布开发出型号为AML818P3001的宽带放大器。该放大器的覆盖频率为6～18GHz,1dB增益压缩输出功率2W。该器件设计用于高......
一、程序跳越的实现(一)原有的问题原 KD—5电路有八个程序,每一个程序的时间选择手柄虽都可以放在“0”周期,但如果真的放在“0......
电阻式料位计一般适用于含水量较高,电阻值不太大的物料的料位控制。上海马铁厂在垂直分型无箱射压造型机(砂型尺寸为400×500毫......
在InP衬底上采用感应耦合等离子体刻蚀技术制备了高性能的AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs共振隧穿二极管.正向偏压下PVCR=7.57,Jp=39.08......
本文回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的......
本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特......
采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容......
肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除......
利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形......
为了精确模拟雪崩光电探测器(APD)的特性,提出了一种APD等效电路模型。文中首先从APD载流子速率方程出发,同时考虑芯片寄生参量和......
本文作者提出一种新的方法来制作可变带宽晶体滤波器,其中心频率保持不变,而带宽是可变的。这种新滤波器的灵感来自“Ten-Tec琼斯......
利用数值方法研究了SOI脊形光波导损耗问题,重点讨论了PIN结构对自由载流子损耗控制的影响情况。研究表明SOI脊形波导在引入PIN结......
制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq_3/LiF/Al的常规有机发光二极管,之后对器件采用波长为442 nm和325 nm的激光线进行照射产生激子,并......
