铜薄膜相关论文
随着信息技术的快速发展,高功率的电磁辐射造成的环境污染问题引起人们的广泛关切。现有的屏蔽体材料（金属板）存在着比重大、柔性差......
采用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和Ta扩散阻挡层的阻挡效果.结果表明,Ta阻挡层能够促使铜薄......
提出一种采用铜薄膜作牺牲层去除负性光刻胶残胶的方法,利用铜薄膜在湿法腐蚀过程中的侧蚀现象,将基底的平均残胶量从13.4个/mm2减......
近些年来，金属基以及硅基的微小构件的尺寸已明显趋向于微米甚至纳米。由于这些小尺寸材料在制备过程中以及随后的服役过程中受到循......
探索廉价清洁的光伏材料、尝试新的太阳能电池栅线制备工艺，对于提高太阳能电池效率、降低生产成本有重要影响。电化学沉积法工艺简......
热导率是体材料的一个固有特性，而对于薄膜材料的热导率却是一个几何参数—厚度的函数，这就是所谓的微尺度效应。本文采用数值模拟的......
金属薄膜在MEMS设备制造,航空航天,半导体加工等众多领域均有广泛的应用。在金属薄膜上制作微结构的方法很多,本文针对使用激光直......
随着微电子芯片不断的高密度集成,芯片中金属互连布线的特征尺度已经进入亚微米甚至纳米量级。铜薄膜由于具有良好的导电性和抗电......
在当代高科技领域,薄膜科学有着极其重要的应用,许多新材料和新器件的开发都是从制备薄膜开始的.薄膜应力是薄膜生产、制备中的一......
本论文采用电化学沉积法在不同pH值条件预先在Cu箔表面沉积制备一层Cu2O薄膜,随后将Cu箔具有Cu2O一侧与Al2O3陶瓷紧密结合,并在N2......
本论文主要工作分为两个方面：1、制备了二大系列有机膦稳定的金属有机铜（I）、银（I）配合物，对得到的配合物分别用IR、1H NMR、13C{H} NMR......
该工作主要是自行设计、组建、调试了一套MOCVD系统,并且对整套装置进行了三次较大的改进,第一次主要集中在输送线路的改进;第二次......
学位
在自行设计、建立的MOCVD系统上,以Cu(hfac)2为反应前驱物在单晶硅上进行铜薄膜的化学气相沉积,并用AFM、SEM对铜核的成长机理进行......
通过对PLD技术中的等离子体的产生及传播理论的分析，对等离子体的传播规律及基片平面上粒子浓度、速度的分布进行了模拟研究；讨论了P......
采用PVD和CVD技术制备Cu/TiN/PI试样.研究表明,TiN薄膜可以有效地阻挡Cu向PI基板内部扩散.CVD工艺制备的Cu膜内部残余应力很小,Cu......
为研究微电子器件中薄膜的'超常'传热行为,基于等温线性响应理论(LRT)和嵌入原子法(EAM)势函数,采用均质非平衡态分子动力......
基于薄膜/基体界面结合强度对膜基体系的使用效果有直接影响,采用压痕法测定了1Cr18Ni9Ti钢基材表面物理气相沉积铜薄膜的界面结合......
在超快激光照射过程中,金属靶材的光学性质是动态变化的。采用双温模型与分子动力学结合法,考虑动态和常数光学性质两种情况,对不......
本文综术了集成电路工艺的Cu布线中Cu薄膜化学气相沉积(CVD)的研究背景,详细介绍了CVD生长Cu金属薄膜的国内外研究进展及CVD对前趋......
怎么描述特征的表面形态学和微观结构进化是当前的薄电影研究的最热的研究。但是在表面形态学的传统的描述，粗糙参数是联系的规模。......
利用磁致溅射方法在玻璃基片上沉积不同厚度的铜膜。利用台阶仪、反射光谱法、四探针电阻法分别测量铜薄膜的形状膜厚、光学膜厚、......
研究了140℃下纳米尺度Cu薄膜的氧化行为．采用真空蒸发法以不同沉积速率制备一系列Cu薄膜，利用原子力显微镜（AFM）观察其微观形貌，选取形......
本文基于分子动力学模拟了纳米铜单晶薄膜的纳米压痕过程。采用Morse势来描述原子间相互作用。研究了温度和加载速率对纳米压......
应用分子动力学方法对四种不同厚度单晶铜薄膜的拉伸测试过程进行模拟,从微观角度揭示了尺度效应对材料性能的影响。分析结果表明:......
采用分子动力学（MD）方法模拟铜薄膜的热导率，给出了厚度在100-400nm、温度在100-600K范围内铜薄膜热导率对尺寸及温度的依赖关系。......
集成电路是电子信息产业发展的基础。随着电子科技的快速发展，集成电路芯片晶圆尺寸不断增大，内部连线和连线密度迅速上升，连线的横截......
具有材料理论密度的金属薄膜对于材料高压状态方程（EOS）研究而言具有重要的意义.本文提出采用金刚石车削技术,利用超精密金刚石车床......
以樟子松单板为研究对象,采用磁控溅射的方法在木材单板表面制备铜薄膜,分析镀铜木材单板导电性能和润湿性能。结果表明:在溅射镀......
使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前......
利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据,分析了酞菁铜/铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性.利用线性......
基底性质对金属薄膜的微观结构及其物理特性有着重要的影响。基于液相材料可用作薄膜生长基底的事实,我们采用热蒸发沉积方法在硅......
在超大规模集成电路中，为了达到芯片的超高速工作，金属连线的时间延迟必须降低。但当元件的最小线宽降到0.25μm以下时，金属连线的电......
意义：目前，电子显示屏中连接各像素的薄膜是由氧化铟锡（ITO）构成。但制造ITO薄膜需要经过一个缓慢的蒸发和沉积过程，且它很容易发生破裂......
本文利用磁控溅射和光刻技术，制备纳米晶Cu薄膜／光刻胶／SiO2／Si复合材料；使用纳米压痕仪对纳米晶Cu薄膜（厚度约50 nm）进行压痕接触变形，结......
电化学沉积是一种方便简洁、成本低、效率高的方法，使用电解液添加剂控制纳米物质的结构与形貌是电化学沉积制备的研究热点之一......
氮化铜薄膜的光学性能及其突出的低温热分解特性,使得它在信息存储方面有广阔的应用前景.本文概述了国际上制备多晶态氮化铜薄膜的......
在具有高弹性和力学稳定性的柔性基底上,用磁控溅射系统制备了亚微米厚铜薄膜,利用透射电镜(TEM)、扫描电镜 (SEM)电子背散射成像......
采用磁控溅射技术在变形镁合金表面沉积铜薄膜,将其作为中间层对变形镁合金和硬铝合金进行了低温扩散焊接研究.利用超声波显微镜、......
在能源需求持续增长同时传统化石燃料又日渐枯竭的今天,太阳能以清洁、无污染和可再生的优点获得人们的广泛关注。光伏发电是将太......
铜薄膜由于具有优良的电学、热学与力学综合性能,在电子器件中获得了广泛的应用。许多功能器件如传感器、光电存储器中大量涉及铜......
首先采用真空蒸镀法制备了不同厚度的铜薄膜，并对薄膜进行了退火处理；然后用X射线衍射仪测定铜薄膜的衍射谱，最后采用线形分析法对衍......
在微电子和半导体等工业中,铜薄膜的制造是很重要一部分。利用化学气相沉积方法制备铜薄膜得到了非常广泛的关注。与其他制备铜薄......
本文用离子束辅助沉积(IBAD)方法在碳纳米管薄膜表面制备铜薄膜。用琼脂平板法测试了抗菌率,测试菌种为革兰氏阴性大肠杆菌(E.coil......
文章介绍利用疲劳试验测取铜薄膜试件的矿N曲线，然后制备铜薄膜试件使损伤程度为0．5，最后对其进行激光强化处理。通过对比激光处理前......
