载流子密度相关论文
自从发现聚乙炔膜经掺杂电导率大大提高后,人们对有机导体进行了广泛的研究。由于聚乙炔膜在空气中易氧化降解而限制了其实用性,......
The conventional charge transport models based on density-and field-dependent mobility,only having a non-Arrhenius tempe......
尽管石墨烯具有非凡的特性,但并不完美。然而,它是一个非常好的样品,可以基于它改造出具有新特性的完美材料。据物理学家组织网近......
液相法制备了亚铜掺杂的碘化亚锡基层状类钙钛矿结构杂合物(C6H5C2H4NH3)2CuxSn1-xI4-x(其中x为掺杂量)粉料,并用旋涂法制备了其薄......
从光场限制因子周期性变化这一概念出发，指出在纯折射率耦合分布反馈激光器中存在着增益耦合作用，这种作用在阈值附近较小，但在输出功......
本文综述了某些用于热红外辐射探测器的器件,重点讨论有关提高器件的工作温度和列阵规模的发展趋势
This article reviews some o......
近几年来人们对采用MOCVD技术在GaAs衬底上生长的晶格匹配In_(0·5)(Ga_(1-x)Al_x)_(0·5)P进行了深入的研究,以便开发红光发射(6......
对半导体激光器的非线性失真进行了理论分析．得出了计算二阶失真和三阶失真的理论公式．实验验证了理论结果，并发现国产ＤＨ－ＧａＡｌＡｓ半导体激光器的......
由于两区载流子密度不同，两段式双稳半导体激光器（ＴＢＬＤ）两区界面反射不为零，这将使器件的输出模谱变得复杂。利用射线法，推导了ＴＢＬＤ的端面输出模......
介绍了1.55μm波段的多量子阱(MQW)行波式半导体激光放大器的制备及其特性的测量.其测量结果.在注入脉冲电流条件下.内增益为20dB.......
对通常所采用的描述两段式双稳半导体激光器的速率方程组作了适当的修正，并根据物理事实引入一个方程限定波长．从而使速率方程组可以......
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态......
由于镀了减反射膜的半导体激光二极管端面的反射曲线的谱宽有限，而且，增益峰值波长随载流子密度的变化，因而实际上起作用的反射率通常......
在考虑了反射率与波长有关这一基本事实后，用图示方法对由镀膜法获得的超辐射发光二极管（ＳＬＤ）的特性进行了分析。结果表明：在判定减反射膜......
对平面型电力电子器件场环终端进行了优化设计与试验研究．提出了用混合因子Ｍｘ（载流子密度与固定电荷密度之比）作为判断理想耗尽区近似是......
本文提出一种新的双极型压控晶体管模型，并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电，有较大的电流密度和功率，导电能力又受电压......
定量讨论了实现外腔式半导体激光器连续调谐的两个基本要求：同时改变外腔长度及光栅反射波长，半导体激光器（ＬＤ）端面镀减反膜。分析表明：前......
根据光栅反馈量的大小和近光栅端的半导体激光器端面反射率的变化，对光栅外腔半导体激光器的调谐范围进行了研究。......
通过速率方程分析微腔激光器稳态、瞬态特性，发现在增强自发发射因子的微腔激光器，加速了载流子的积累，促进了激光输出，随着注入电流的......
本文通过对行波半导体光放大器增益饱和及其瞬态增益特性的分析，指出了利用半导体光放大器增益饱和快的特点，精确控制半导体光放大器......
报导了用低压（ＬＰ）－ＭＯＣＶＤ方法研制出８０８ｎｍ无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ单量子阱分别限制异质结构大功率激光器（ＳＣＨＳＱＷ），器件外微分量子效率为６５％，阈值电流密度４００Ａ／ｃｍ２，特征温度１２０℃，对于１００μｍ条宽、１０００μｍ腔......
建立了半导体激光器（ＳＬＤ）的硬件描述语言（ＨＤＬ）模型，并给出在仿真ＳＬＤ的电路模型时的一些技巧．建模和仿真说明了使用ＨＤＬ模型优于电路模型．
The hardware......
增益开关半导体激光器的输出光脉冲具有“红移”啁啾，本文对具有不同时域及频域特性的啁啾光脉冲采用F－P滤波和正常色散光纤补偿两种......
以１．３μｍＤＨ－ＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器为研究对象，利用自发辐射谱测量谱线展宽因子，测出了α因子随工作电流变化的关系曲线。
Using 1.3μmDH-InGaAsP s......
在简单地介绍了增益压缩因子是如何被人们引入速率方程组中去的之后，讨论了该因子对半导体激光器稳态特性的影响。根据压缩因子的大......
利用多模速率方程组的解析解对超辐射发光二极管的输出特性进行了研究。在此基础上，数值模拟了衡量超辐射发光二极管工作的重要参量......
广泛研究过去十年大量研究致力于实现显示用的薄膜发光塑料及其他有机材料。这些研究是由可悬挂平板式或旋转式大型、灵活和廉价的......
利用由射线法导出的两段式半导体激光器（２ＳＬＤ）的端面输出谱的表达式，研究了两电极半导体激光器（２ＥＬＤ）和外腔式半导体激光器（ＥＣＬＤ）。结果表明：２ＥＬＤ的振荡波长......
根据半导体光放大器的高频滤波效应，利用动态载流子恢复时间的概念，分析了基于半导体光放大器交叉增益调制的全光波长变换器中变换信......
在１９９９年５月举行的激光电光学会议（巴尔的摩）的逾期论文中，日本东京大学和德国维尔兹堡大学的研究人员报导了室温下从光泵垂直腔面发射激光......
基于半导体光放大器(SOA)的高频滤波效应,分析了半导体光放大器的偏置电流、微分增益、输入光功率和模场限制因子与半导体光放大器......
视外腔半导体激光器的场为统一场，直接由内、外腔场的传播方程、边界条件出发，建立了平面外腔半导体激光器的瞬态模型。数值模拟的结......
利用强反馈条件下光栅调谐长外腔半导体激光器（ECLD）在任意频率v处振荡所需的阈值载流子密度N（v）的解析表达式，导出了在ECLD的N-v（载流子......
研究了因折射率与载流子相互关联而引起的外腔半导体激光器的双（ 多） 稳特性，分析了不同条件下的各种不同形状的载流子密度双稳环及相......
日本东京大学及德国维尔茨堡大学的研究人员报道了在室温下一个二维的光泵浦的垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）获得了蓝色激光（３９０ｕｒｎ）。这种器件的阵列......
在三段电注入应变多量子阱分布反馈激光器中，应用增益杠杆效应扩大了波长的可调谐范围。对其中两段加固定偏置直流电流，另一段作为控......
采用图解的方法，对镀制在半导体激光二极管（ＬＤ）端面的单层减反射膜的实际效果进行了分析。研究表明：在减反膜的反射率曲线的谱线宽度有限......
利用高频饱和滤波效应和动态载流子恢复时间概念分析了基于半导体光放大器中交叉相位调制的马赫－陈德尔型全光波长变换器的频率啁啾......
从微腔半导体激光器速率方程出发，分析讨论了微腔激光器的脉码调制特性，发现微腔具有较规则的脉冲响应，可以减少误码率；自发发射因子为......
本文分析了双电极激光器的阈值特性。我们通过对传输矩阵模型（ＴＭＭ）的输入进行了向量处理来求阈值条件下的主模及次模，进而求出单模稳定性......
