GaAlAs相关论文
用连续波电光检测法测量了激光器列阵发光区电场分布，并对其注入电流扩展作了模拟讨论。
The electric field distribution in the......
目的比较 GaAlAs和 InGaAs半导体激光与 Nd∶ YAG激光热凝固效应. 方法 GaAlAS、 InGaAs、 Nd∶ YAG 激光以石英光纤输出 ,照射鸡......
目的:检测半导体激光(GaAlAs)照射对大鼠成骨细胞增殖和分化的影响,探讨半导体激光促进种植体骨结合及治疗种植体周围炎的作用.方......
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(CRIN-SCH-......
用一种新的化学蚀刻方法制出了短腔(GaAl)As条形激光器,此激光器的阈值电流为30mA。该方法使用了一多层金属掩膜。激光器腔长23μm......
为研制全集成光开关、微片式激光器等，对ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等材料的化学腐蚀进行了实验研究。......
<正> 砷化镓场效应晶体管自从1966年由 C.A.Mead 提出以来,正在深入地研究发展中,迄今,作为微波用的晶体管几乎已达到实用阶段。在......
我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓ量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器．激光器在室温下的激射波长为８６０ｕｍ，单模单端......
