完全 MBE 生长的内含吸收型光栅 GaAlAs/GaAs 多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:l521wubing
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我们首次完全采用MBE技术成功地制作了内含吸收型光栅的GaAIAs/GaAs量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器.激光器在室温下的激射波长为860um,单模单端输出光脉冲峰值功率超过20mW.器件在至少0℃到80℃的范围内始终保持单纵模激射.作为初步结果,条宽为5~6μm的氧化物条形结构器件的脉冲工作阈值电流约为700mA. For the first time, GaAlAs / GaAs quantum-order-gain-coupled distributed feedback semiconductor lasers with an absorption-type grating have been successfully fabricated using MBE technology for the first time. The lasing wavelength of the laser at room temperature is 860um, the single-ended single-ended output optical pulse peak power exceeds 20mW. The device maintains a single longitudinal mode lasing at least from 0 ° C to 80 ° C. As a preliminary result, the pulse operating threshold current of an oxide stripe structure with a stripe width of 5 to 6 μm is about 700 mA.
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