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在研究了45nmCMOS工艺下晶体管泄漏电流特性的基础上，提出了一种可以同时减小多米诺逻辑电路亚闻值和栅极氧化层泄漏功耗，带有NMOS睡......
介绍了Φ３００ｍｍ／０．１８μｍ对栅极氧化层的要求、生长极簿栅极氧化层的方法及其形成栅极氧化层的设备。......
SED在IC封装过程中对IC产品质量的影响越来越大。以生产过程中遇到的一些实际问题为例．分析探讨了ESD在封装生产过程对产品造成的影......
超大规模集成电路(ULSI)发展至今,可靠性问题越来越突出和受到重视。可靠性测试分析的目的在于提高ULSI的质量和可靠性水平,分析所......
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在0.25um以下的高阶制程中,通常使用蚀刻形成STI (Shallow Trench Isolation)浅沟槽的方式来达到元器件相隔绝的目的。由于制程能......
