【摘 要】
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本文叙述了在通用扩散炉上实现大面积超厚硅片电气参数一致性的有效方法,在使用本工艺之前,芯片径向电阻的非均匀性在20％左右。使用本工艺后,非均匀性减小到10％以内,一般可以控
【机 构】
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沈阳仪器仪表工艺研究所,沈阳仪器仪表工艺研究所,沈阳仪器仪表工艺研究所 沈阳市 110043,沈阳市 110043,沈阳市 110043
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本文叙述了在通用扩散炉上实现大面积超厚硅片电气参数一致性的有效方法,在使用本工艺之前,芯片径向电阻的非均匀性在20％左右。使用本工艺后,非均匀性减小到10％以内,一般可以控制在6％左右。有效地解决了普通设备加工特殊硅片的技术问题。
This paper describes an effective method for achieving the uniformity of the electrical parameters of a large area ultra-thick silicon wafer on a universal diffusion furnace. Prior to the use of this process, the chip has a non-uniform radial resistance of about 20%. After using this process, the non-uniformity is reduced to less than 10%, generally can be controlled at about 6%. Effectively solve the general equipment processing special silicon technical problems.
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