开启电压相关论文
以p-GaAsSb作为基区材料,利用微空气桥隔离工艺制作了NPN InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管(DHBT:Double Heterojunction Bipolar ......
采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量、掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响，很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同......
为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度......
成功地合成了柔性脂肪链段和刚性发光链段相互交替的共聚物,并对其进行了表征.发现该聚合物的荧光随柔性链段的增长而增强的实验结......
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、......
氢化非晶硅场效应晶体管的特性对环境因素较为敏感，如光照、温度和湿度等。文中介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体官场效应......
通过对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）直流参数温度特性的测试分析并与ＶＤＭＯＳＦＥＴ进行比较，从中得出ＩＧＢＴ能够承受更大的电流密度，其导通压降在高温下较之ＶＤＭＯＳＦＥＴ有较大的......
提出了零电压开关变换的一种新型自激ＰＷＭ变换器，它完全摒弃了依靠变压器磁化曲线形成状态转换的传统方式。通过加入熄火区间实现了开关......
本文报道了一种工艺简单可靠、利用钨丝掩膜质子轰击（见Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｅｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１９９６，１１∶１７３４～１７３６）方法制成的室温准连续运转可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６６０ｎｍ。外延片......
本文利用广泛使用的ＰＩＣ（ｐａｒｔｉｃｌｅ－ｉｎ－ｃｅｌｌ）粒子模拟软件ＭＡＧＩＣ模拟了楔型场致发射真空微电子三极管的一个单元的特性。该单元由一个模型场致发射体、栅极和阳极......
对氮离子注入掺杂的微波等离子ＣＶＤ金刚石薄膜进行了场电子发射研究。结果表明，发射具有３阶段特征，即当样品损伤层被击穿、发射体被激活后......
利用 ＭＯＣＶＤ工艺可制备得到锐钛矿型ＴｉＯ２薄膜，在其上溅射金属 Ｐｔ并控制工艺流程的温度，Ｐｔ／ＴｉＯ２间将形成良好的金半整流接触．该Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基二极管在常温下表现出......
建立了一个ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ的物理模型，并在此基础上分析了ｐｏｌｙ－Ｓｉ材料特性对ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性，对泊松方程做了两维模......
半导体纳米微粒／聚合物复合物是一种新型的功能材料，其独特的特性赋予了该类材料崭新的光电性能等。文章分析比较了这种材料常见的几......
研究了氮离子注入CVD金刚石薄膜的场电子发射行为 .实验表明 ,稳定发射的形成过程基本具有规律性的击穿、激活和稳定发射三阶段特......
由德国OsramOptoSemiconductor公司领导的一个研究小组最近首次成功地研制了欧洲第一只InGaN基激光器。这项研究计划由德国政府牵......
利用 L PCVD Si O2 和多晶硅作牺牲层和悬臂梁技术 ,解决了多晶硅应力释放问题以及微机械开关工艺与 IC工艺兼容技术问题 ,获得了......
对采用阳极氧化法及阴极还原表面处理技术制备的性能稳定的纳米多孔硅,用原子力显微镜(AFM)表征了其微观结构,多孔硅颗粒粒径在30 ......
实现了一种可用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT。借助超薄低温InP缓冲层在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层。......
日本东北大学未来科学技术共同研究中心教授大见忠弘认为,用等离子体激发N元素,形成Si3N4,使用Si3N4形成栅绝缘层,可以解决栅极漏......
提出了用一种无机半导体的模型来计算有机电致发光器件(OELD s)的J-V特性。通过在金属/有机物界面插入薄L iF层,由此引入的偶极子......
0引言最近20年来,功率器件及其封装技术的迅猛发展,导致了电力电子技术领域的巨大变化。当今的市场要求电力电子装置要具有宽广的......
利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合......
已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLE......
降低能耗对于液晶显示器件,尤其是移动显示尤为重要。在本研究中,3nm和5nm两种不同尺寸的CdS纳米粒子被用来掺杂入5CB液晶材料。掺......
利用n型硅作为阴极制备了倒置型顶发射有机发光二极管。通过在n-Si阴极和电子传输层(Alq3)之间插入1nm厚的Ba作为电子注入层,将器......
提出了一种能够传输高速信号的多路选择器,并为其设计了一种低失真、宽带模拟开关.所提出开关的栅源过驱动电压由nMOS和pMOS的开启......
本文介绍了一种基于单根氧化锌纳米线场效应管的制备方法,用XRD和SEM分析了样品的结构和形貌,测试了它的输出特性曲线和转移特性曲......
用氧化剂KMnO4溶液处理ITO表面制备了高效的有机电致发光器件(OLED)。将涂有ITO的玻璃薄片浸泡到不同浓度的KMnO4溶液中,并对玻璃......
采用原子层淀积(ALD),实现超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/......
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器......
制备了一种有机垂直光发射晶体管,兼具有机发光二极管的发光和晶体管的开关调节两个功能.其结构为一个有机发光单元垂直堆叠在一个......
本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶S......
利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上生长PIN型AlGaN/GaN外延材料,研制出背照式AlGaN基PIN日盲型紫外探测器,用紫外光谱测试系统和......
使用柠檬酸钾(C6H5K3O7)作为电子注入材料,制备了多层有机电致发光器件。当柠檬酸钾阴极修饰层厚度为0.5 nm时,得到3.6 cd/A的发光......
采用等离子体增强化学气相沉积高低频交替生长法生长了SiO_2/Si_3N_4透明介质分布式:Bragg反射镜(DDBR),提出了对DDBR采用干、湿法......
ROHM公司的2代SiC MOSFET SCT2080KEC/SCH2080KE实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压(VF)降低70%以上,实......
对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应......
利用简单的化学气相沉积方法,首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜,并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管.对制备的Sb掺......
