【摘 要】
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MicroGaN发布了一款基于硅衬底GaN的600 V耐压功率器件,预计2012年功率电子产品采购商将能够以硅(Si)基器件价格获得与SiC基器件性能相当的高性能晶体管和二极管。MicroGaN公
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MicroGaN发布了一款基于硅衬底GaN的600 V耐压功率器件,预计2012年功率电子产品采购商将能够以硅(Si)基器件价格获得与SiC基器件性能相当的高性能晶体管和二极管。MicroGaN公司一直致力于开发600 V耐压二极管及晶体管。在功率电子器件方面,MicroGaN公司不乏同业竞争者。International Rectifier在组装一款
MicroGaN unveiled a 600 V withstand voltage power device based on GaN on silicon substrate. Power electronics buyers are expected to be able to acquire high performance transistors and diodes comparable in performance to SiC based devices at silicon (Si) based device prices in 2012. MicroGaN company has been committed to the development of 600 V pressure-tolerant diodes and transistors. In the power electronics, MicroGaN no shortage of competitors. International Rectifier is assembling a paragraph
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