硅衬底相关论文
全频段通信是未来无线通信的发展主要方向之一。其中,基于LED的可见光通信（VLC）技术有望在较低成本和能耗下实现室内通信和照明的复......
通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶......
采用磁控溅射方法在Si(111)衬底上分别沉积不同厚度的Mg膜,然后低真空退火处理得到结晶良好的Mg2Si薄膜.一定条件下,Mg膜的最优沉......
用NH3作气源的MBE法在Si(111)和Si(100)衬底上外延生长了高质量的AIN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积A1以覆盖Si衬底表面防止Si的氮......
用Al-N共掺方法在Si衬底上制备出了p型ZnO薄膜.光致发光谱表明其发光峰位于3.1eV附近,且随着生长温度升高发生红移.结合吸收谱分析......
GaN基蓝紫光激光器在国防建设、生物、环境、照明、显示、打印和医疗等领域具有广阔的应用前景和巨大的市场需求.世界上第一支GaN......
利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上生长出了高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得了多级InGaN MQW卫星峰.制成标准管......
会议
本文介绍了一种在硅衬底上自组装生长ZnO纳米线的方法,新方法以高分子材料作为自组装络合载体,采用离子络合转换方法和聚合物网络......
利用超高真空化学气相沉积设备,在Si(001)衬底上外延生长了4层Ge/Si量子点样品。通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分......
介绍了N型双面电池简介，背面复合分析改善技术研究，N型双面电池简介N型双面电池，N型硅衬底,无光致衰减，双面发电设计,实现双面发电的功......
采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构,通过溅射不同厚度的MgO薄膜探索提高MgO晶化质量的方法.利用X射线衍......
相比于传统的蓝宝石衬底,硅衬底LED不仅在生长时,衬底成本远低于蓝宝石材料,而且可以采用化学腐蚀的方法来剥离衬底,在效率和良率......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了一系列具有不同p层厚度(d)的InGaN/GaN蓝光LEDl薄膜，并制备成垂直结构的发......
通过衬底图形化技术，在Si(111)衬底上生长了厚度大于4μm无裂纹的GaN薄膜。采用特殊的AlxGa(1-x)N/AlyGa(1-y)N多层缓冲技术，GaN/Si......
报道了本研究组制备的Si衬底GaN基功率型垂直结构蓝光LED芯片的光电性能与电流、老化时间的关系。采用压焊和化学腐蚀转移技术，制备......
本工作利用CVD的方法在AIN/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)......
研究了钙钛矿结构氧化物功能薄膜LaCaMnO(LCMO)在半导体硅衬底上的外延生长及其电脉冲诱发可变电阻(EPIR)效应.通过在半导体硅衬底......
铁电薄膜具有良好的热释电性、压电性、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的......
本文报道了本研究组制备的硅衬底GaN基绿光LED的光电性能，芯片采用Ag反射镜与表面粗化技术，400μm×6 00μm尺寸的芯片在20mA下光功......
在硅衬底上刻蚀深沟槽和深孔是在传感器技术的一种重要的加工手段.可以用于制作加速度传感器、陀螺仪、穿过硅片的互联和射频(RF)......
本文分析了以低温AlN插入层(700℃)作为应力缓冲层生长高阻Si衬底GaN外延的漏电流特性。通过对比两组不同结构的GaN外延层两端横向......
本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现象,......
利用MOCVD的方法用在Si(111)衬底上以AlN为缓冲层生长了GaN基多量子阱LED外延层.通过衬底转移技术,在薄膜芯片工艺的基础上结合了......
本文研究通过原位的反射式高能电子衍射(RHEED)和反射谱研究了在蓝宝石衬底上生长的InGaN纳米杆的生长机制, InGaN在蓝宝石上首先......
以Si为衬底设计并制备了四层结构的减反射薄膜,分别为TiO2、 YAG∶Ce和两种不同孔隙率的SiO2纳米柱膜层.薄膜在350-1100nm内的平均......
通过电镀的方法将Si衬底GaN LED薄膜分别转移至铜铬、铜镍基板上，并制备成不同电镀基板的LED芯片。研究发现，铜镍基板LED芯片较铜铬......
本文对在硅衬底上生长和制备氮化镓基LED，特别是以MOCVD(金属有机物化学气相外延)晶体生长方法制备高亮度可见及紫外光(UV)LED技术......
在硅衬底上外延GaN,提供了一种新的技术平台,能够加速氮化镓在光电子和微电子方面的应用进一步扩大.本文介绍在硅衬底上GaN基发光......
本研究在硅衬底上生长了高质量的无裂纹GaN薄膜并制备了多量子阱LED结构,通过把外延层热压焊到另一个硅衬底上并去除生长衬底,实现......
本论文利用Gaussian98程序,采用密度泛函理论B3LYP方法,在6-311G**基组下,研究了SinNm的稳定构型及PCl3/H2在硅衬底表面上反应机理......
石墨烯是一种由碳原子紧密堆积成的单层二维蜂窝状晶格结构的新材料,具有许多奇特的力学、电学和热学性能,使其在集成电路、功能性......
日本电气公司研制了一种 DRAM 的256MB 级的新型铝丝。这种丝材是具有双重结构的记忆丝。一种是钛和氮化钛在硅衬底的绝缘薄膜上......
采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖面透射电镜(XTEM)对样品的NiSi/Si界面进行了研究.在未掺杂和掺杂(包括As和B)的硅衬底上通......
金属器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 与一个新奇多级式的缓冲栈计划的介绍在 n 类型硅底层上种的变形 Al0.50In0.50As/Ga0.47In0.53As......
Fabrication of 0.3-μm T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates using metal organ
我们在场与一个有效多级式的缓冲计划的介绍在 n 类型硅底层上用 Metalorganic 化学蒸汽免职(MOCVD ) 种的一只 InGaAs 变形高电子......
采用硅衬底电极无催化剂制备横向ZnO纳米线,实现了二维氧化锌纳米线网电路的制备。本研究涉及的技术一方面可以为突破纳电子器件制......
本文介绍并讨论了一种ｎ阱ＣＭＯＳ与ｎ沟ＳＣＣＤ兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器，工作电压为１５～１８Ｖ，采样频率达１．３ＭＨｚ。
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报道锗硅合金在λ＝１．３μｍ的脊形单模光波导的设计、工艺及测量结果．这种光波导的传播损耗已达０．７ｄＢ／ｃｍ．脊形的高４～８μｍ，宽８～１２μｍ，均和单模光纤芯径相当．此外，其......
本文介绍了用电化学腐蚀的阳极氧化工艺，在硅衬底上制备多孔硅（ＰＳ）薄膜，实验测定了多孔硅薄膜的光致发光谱（ＰＬ），发现光致发光谱峰值波长随阳极......
