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基于介电连续模型与Loudon的单轴晶体模型,推导分析了纤锌矿准一维量子阱线中的准受限( QC)光学声子模及相应的电子-QC光学声子之......
用平面波展开法对GaN/Al_xGa_(1-x)N球形量子点中类氢杂质态能级随量子点半径、Al组分以及结合能随Al组分的变化规律进行了详细讨......
考虑了纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱(QW)材料中空穴带质量和光学声子模的各向异性以及声子频率随波矢变化的效应,采用改进的LLP变分......
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通过自洽求解一维泊松方程和薛定谔方程,得到了p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处的价带结构和二维空穴气(2DHG)分布,研究了A1组......
采用金属有机化合物气相淀积法在(0001)取向的蓝宝石衬底上生长一层大约20nm厚的AlN缓冲层,在缓冲层上生长大约2μm厚、晶体质量良......
本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法......
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质......
用热压和无压烧结工艺，在1700～1800℃制备了含氮稀土黄长石固溶体R_2Si_（3-x）Al_xO（3+x）N（4-x）（R＝Nd、Sm，x＝0、0．3、0．6、1．0、1．2；R＝Dy、Y，x＝0、0．3、0．6......
