p-ZnO相关论文
采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜．XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25．2Ω·cm,Ha......
利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并......
利用直流反应磁控溅射以Al、N共掺杂的方法生长p -ZnO薄膜。ZnO薄膜沉积于具有不同衬底温度的玻璃或Si衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生......
研究了Au,In,N i/Au三种不同金属膜与N掺杂p型ZnO的接触特性,发现N i/Au双层膜更适合作为其欧姆电极材料,并比较了不同气氛和不同......
采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上生长了掺锑(Sb)的p型ZnO薄膜.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,霍尔测试表明Zn......
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜．实验采用二乙基锌作为锌源，高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧......
采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺......
报道了利用直流反应磁控溅射以Al，N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜．ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于a-Al2O3(0001)衬底上，N来自NH3与O2的生......
采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO：Al薄膜,以NO和O2为源气体（V（O2）/V（O2＋NO）=75%）,采用等离子体浸没离子注入（PⅢ）方法对薄膜进行注入得到Z......
目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，属于六方纤锌矿结构，（002）晶面的表面自由能最低，因而ZnO通常具有（002）取向性生长。ZnO在光电、压电、......
本工作通过调整工作气压,采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术在A l2O3衬底上成功的制备了自然掺杂的p型ZnO薄膜。Hall测量显......
N元素由于其核外电子结构和原子半径与O十分相近,被认为是最适合用来制备p型ZnO(p-ZnO)半导体材料的掺杂元素。有关N掺p-ZnO的研究......
氧化锌(Zn O)是一种宽带隙氧化物半导体,在室温下的带隙宽度为3.374 e V,并且其激子束缚能高达60 me V,是实现高温激子型紫外光电......
氧化锌是一种宽带隙半导体(3.37eV),具有大的激子束缚能(60meV),在室温下容易获得强的激子发射,被认为是制备紫外发光和激光二极管......
