采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ｇｅ－ＳｉＯ２复合薄膜，然后在真空气氛中进行热处理。利拉曼散射、Ｘ射线衍射、ＵＶ／ＶＩＳ／ＮＩＲ透射和反射谱、变......

氧化锌(Zn O)是一种宽带隙氧化物半导体,在室温下的带隙宽度为3.374 e V,并且其激子束缚能高达60 me V,是实现高温激子型紫外光电......

ZnO作为一种直接带隙宽禁带半导体材料，其禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，是有望取代GaN的新一代半导体光电材料，近年来受到广泛......