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报道了利用直流反应磁控溅射以Al，N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜．ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于a-Al2O3(0001)衬底上，N来自NH3与O2的生长气氛，Al来自ZnxAl1-x(x=0．9)靶材．利用XRD，AFM，Hall，SIMS和透射光谱对其性能进行了研究．结果表明，ZnO薄膜具有高度c轴择优取向，450℃、600℃分别实现了p型转变，电阻率为10^2～10^3Ω·cm，载流子浓度为10^15～10^16cm^-3，迁移率为0．5～1．32cm^2／(V·s)．薄膜中A