楔型发射体真空微电子三极管的计算机模拟

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本文利用广泛使用的PIC(particle-in-cell)粒子模拟软件MAGIC模拟了楔型场致发射真空微电子三极管的一个单元的特性。该单元由一个模型场致发射体、栅极和阳极组成。研究了栅极电压、阳极电压和发射体顶点半径等对发射电流的影响。给出了一个典型的楔型场致发射真空微电子三极管,当其阳极电压为500V,阳极与阴极相距4μm时的电子轨迹图。模拟结果表明场致发射的阳极开启电压为250V。并得到了三极管高频工作时动力学特性。 In this paper, we use the widely used PIC (particle-in-cell) particle simulation software MAGIC simulation wedge-type field emission vacuum microelectronics triode characteristics of a unit. The unit consists of a model field emitter, grid and anode. The effects of gate voltage, anode voltage and emitter apex radius on emission current were studied. A typical wedge-type field emission vacuum microelectronic transistor is given, with an electron voltage of 500V and an anode and cathode of 4μm. Simulation results show that the field emission anode turn-on voltage is 250V. And got the transistor high-frequency dynamic characteristics.
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