采用原子层淀积(ALD),实现超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/......

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).......

报道了一种利用原子层淀积（ALD）生长超薄（3．5nm）A1203为栅介质的高性能AIGaN／GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT），新型AIGaN／G......