极紫外光刻相关论文
激光光斑位置检测技术在现代科技与科学研究中得到了人们的广泛关注,在激光制导、空间自由通信、精密测量、光镊等领域扮演着重要......
光刻是芯片制造的核心步骤，光刻机与光刻胶在光刻过程中是相互依存、缺一不可的。然而，作为与光刻机同等重要的光刻胶得到的关注较少......
本文提出了一种基于空间像的极紫外光刻掩模相位型缺陷检测方法，用于检测多层膜相位型缺陷的类型、位置和表面形貌。缺陷的类型、位......
极紫外（EUV）光刻机是推动集成电路向先进技术节点发展的核心装备，已应用于7 nm及以下技术节点芯片的量产。高成像质量是EUV光刻机应用......
极紫外（EUV）光刻技术是半导体制造业中应用的最先进光刻技术，与之配套的光刻胶近年来也有了长足发展。本文结合EUV光刻技术面临的新问......
极紫外光刻中掩模板热变形是不可忽略的.本文采用有限元方法,针对工业化生产条件(80wafer-per-hour)计算掩模板热变形.抗蚀剂感光......
本研究工作主要合成了以四溴双酚A为主体结构的新型分子玻璃化合物。其具有分子量小，单分散，热力学稳定，较高玻璃化转变温度等优点，是......
极紫外光刻光学检测通常使用光纤点衍射干涉仪，光纤衍射的圆偏振态光束可以提高干涉条纹的对比度、减小衍射球面波的像散，对于提高检......
设计了一套极紫外光刻光源系统的光束准直系统，用于满足极紫外光刻光源系统对光束指向稳定性的需求，保证极紫外光的转换效率。准直系......
Mo/Si多层膜镀膜工艺是极紫外光刻的关键技术之一,为了优化并提升Mo/Si多层膜的镀膜工艺,研究了气压、靶-基底间距这两个工艺参数......
随着极紫外(EUV)光刻物镜的设计朝着组合倍率物镜系统的方向发展,物镜系统需要同时具有大视场和高数值孔径(NA),因而产生了物镜的......
建立了一个基于等效膜层法的极紫外光刻含缺陷掩模多层膜仿真模型。通过等效膜层法求解含缺陷多层膜无缺陷区域和含缺陷区域不同位......
极紫外光刻(EUVL)技术是目前193 nm浸没式光刻技术的延伸,有望突破30 nm或更小技术节点而成为下一代光刻(NGL)技术的主流。毛细管......
为了实现极紫外光刻(EUVL)投影物镜光学元件均方根(RMS)0.2~0.3 nm的面形检测精度要求，研究了超高精度光学元件检测方法。采用误差......
提出了一种基于机器学习参数校正的极紫外光刻三维含缺陷掩模仿真方法。本方法采用随机森林、K近邻等机器学习方法,对基于结构分解......
16 nm极紫外光刻(EUVL)物镜热变形是影响其高分辨成像的主要因素之一。为了给EUVL系统热管理提供可靠的技术依据,对数值孔径为0.33......
开展了动态气体锁抑制率的实验研究，设计了一套极紫外真空动态气体锁实验验证系统；进行了真空抽气系统的详细设计，形成了具有实际可操......
投影物镜波像差在线检测技术是极紫外光刻(EUVL)实现32 nm及其以下技术节点的关键技术,对于光刻机的整机集成具有重要研究意义和实......
提出了一种极紫外光刻掩模多层膜相位型缺陷的形貌重建方法。采用表面与底部形貌参数表征相位型缺陷的三维形貌;采用原子力显微镜......
13.5 nm波长极紫外(EUV)光刻机的分辨率虽然很高,但因波长的减小使其对像差的容忍度降低,有必要研究像差对EUV光刻成像的影响。针......
对极紫外光刻掩模的吸收层和多层膜分别建模, 将二者组合以实现对具有复杂图形分布的掩模衍射谱的快速精确仿真。对存在图形偏移的......
半导体行业中的大规模集成电路均采用光刻技术进行加工,光刻的线宽极限和精度直接决定了集成电路的集成度、可靠性和成本。光刻技......
自集成电路芯片诞生半个多世纪以来,芯片尺寸在不断减少,以极紫外光刻为代表的光刻技术也有了显著的发展。同时,实现更高精度的光......
光刻是制造微纳米元件的重要工艺过程，光刻胶是光刻中最重要的材料之一.与传统的聚合物光刻胶相比，分子玻璃光刻胶因其较高的线......
光刻胶是集成电路和半导体分立器件微细加T技术中的关键性材料，传统的光刻胶主体材料采用分子量5000～15000道尔顿的聚合物树脂，这......
本研究工作主要研制了一系列以双酚A为主体结构的新型分子玻璃化合物。其具有分子量小，单分散，热力学稳定，较高玻璃化转变温度(Tg......
本文讨论了光学光刻进一步发展遇到的技术问题,介绍了下一代光刻——极紫外光刻(EUV)的关键技术,并从整机研制考虑,初步探讨了各关......
极紫外光刻（EUVL）是最有可能实现22 nm技术节点的下一代光刻技术。极紫外（EUV）光刻系统使用波长为13．5 nm，在此波段下曝光设备只能采用全......
通过对掩模衬底材料和掩模加工工艺利用硬性分界条件可满足45nm及以下技术节点的掩模要求。此外类似于折射指数、平整度、成分、均......
在过去的几年中,ASML公司以创新的浸没式技术引领着光刻设备市场,又一次刷新了半导体制造的路线图。通过对浸没式光刻技术的再现和......
离轴照明技术(OAI)是极紫外光刻技术中提高光刻分辨率的关键技术之一。为了实现考虑掩模阴影效应情况下离轴照明的优化选择,构造了......
为有效评估和预测在极紫外光辐照下,极紫外光刻机中残留的碳氢化合物气体在多层膜光学元件表面造成的碳污染状况,建立了光学元件表......
建立了一个基于单平面近似的极紫外（EUV）光刻三维含缺陷掩模的快速仿真模型。该仿真模型中,采用相位突变和振幅衰减表示缺陷对多层膜......
极紫外光刻系统中的碳污染会降低多层膜反射率,在保证光学元件性能的前提下,如何选择碳清洗工艺是一项重要课题。通过对不同清洗工......
提出了一种基于分离变量法的极紫外光刻三维掩模衍射谱快速仿真方法,在保证一定仿真精度的前提下提高了仿真速度。该方法将三维掩......
Ptychography是一种基于扫描式相干衍射成像的相位恢复技术,实验装置简单,抗干扰能力强。将Ptychography技术用于投影物镜波像差的......
极紫外光刻(EUVL)是实现22 nm及以下节点集成电路制造最为高效的工艺技术。本文介绍了EUV光刻胶树脂的结构特点及其对光刻性能的影......
波长在13.5nm的极紫外光刻技术作为传统光刻技术的延续,已被认为是下一代最先进的光刻技术之一。激光产生等离子体(LPP)方法在产生......
极紫外光刻照明系统是极紫外光刻机投影曝光系统的重要组成部分,它必须为掩模面提供均匀照明并实现多种离轴照明模式。目前主流的......
极紫外(Extreme Ultraviolet,EUV)光刻是实现11nm及以下节点光刻技术中最具潜力的光刻技术。EUV光刻投影物镜系统使用反射式光学元......
通过对掩模衬底材料和掩模加工工艺利用硬性分界条件可满足45 nm及以下技术节点的掩模要求.此外类似于折射指数、平整度、成分、均......
纳米科学技术将成为新世纪信息时代的核心 .纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基础之一 ,其制作技术是整个纳米技术的核心基......
针对点衍射干涉仪(PDI)的小孔衍射波前,提出了一种基于扩展奈波尔-泽尼克(Nijboer-Zernike)(ENZ)理论进行超高精度检测的方法。描......
在国际半导体技术蓝图(ITRS)指定的22nm节点中[1],该产业将在两种竞争的光刻解决方案中进行选择,这将取决于其产品的发展路线图。......
简要介绍了光刻技术的发展和得到更小线宽的途径.详细介绍了不同光刻技术下光刻胶的发展.基于中国光刻胶的发展现状,提出了加快光......
