光学光刻相关论文
光刻是将集成电路器件的结构图形从掩模转移到硅片或其他半导体基片表面上的工艺过程，是实现高端芯片量产的关键技术。在摩尔定律的......
光刻技术一直是集成电路工业发展中的重要推动力,移相掩模是提高光刻分辨率的重要分辨率增强技术.在65nm节点及以下的光学光刻中,......
非光学下一代光刻技术的缓慢进展和国际半导体技术发展规划(ITRS)的加速,使光学光刻肩负着IC产业的重任,进一步向亚波长图形领域进......
本文讨论了光学光刻进一步发展遇到的技术问题,介绍了下一代光刻——极紫外光刻(EUV)的关键技术,并从整机研制考虑,初步探讨了各关......
应用矢量电磁场理论和波导模型推导出离轴照明下的矢量霍普金斯公式,与传统的标量霍普金斯公式不同之处在于引入了入射角及入射方......
本文提出一种全面描述光刻机离轴照明光源物理分布特性的全参数解析模型,该模型采用Sigmoid函数作为构造各种主流离轴光源解析模型......
离轴照明(OAI)作为一种重要的分辨力增强技术(RET),不仅可以提高光刻分辨力,而且对焦深(DOF)也有一定程度的改善。针对特定的掩模......
本文介绍一个数值孔径0.4、视场10×10mm~2可用于1:1分步投影光刻机的镜头的光学设计及其模型实验结果.光学设计在Wynne-Dyson的1:......
光学光刻中的邻近效应杰严重降低光刻图形的质量，是妨碍大规模集成电路高集成度发展的一个重要原因，光学邻近校正已成为亚微米光刻掩......
结合电子束光刻超微细图形加工的能力和光学光刻高生产效率的优势，进行新的器件和集成电路开发是一个新的研究方向。二者混合使用与......
Ｘ射线光刻目前被认为是替代光学光刻进入深亚微米制造领域的最有希望的几种技术之一，Ｘ射线光刻技术进入工业化生产的关键是需要解决光......
离轴照明和衰减型相移掩模作为重要的分辨力增强技术,不仅可以提高光刻的分辨力,同时还可以改善成像焦深,扩大光刻工艺窗口,实现65......
提高光学光刻分辨力是现代光学光刻技术研究的核心内容,而提高光刻分辨力的主要手段是进一步增大光刻物镜的数值孔和进一步缩短曝......
分辨率增强技术是光学光刻中用来实现高分辩光刻成像质量的重要手段，主要包括离轴照明、相移掩模、邻近效应校正、偏振照明四种技术......
该文深入地对逐场调焦调平控制技术作了研究,在基于硅片CHIP内多点高度视频测量的基础上,导出了调平系统数学模型,提出了调平解耦......
光刻技术是大规模集成电路制造的关键技术之一，在微电子、微光学、光电子和微机械制造等领域具有广泛的应用。产生高分辨率的任意图......
由于其独特的二维结构和物理性质，石墨烯自2004年被发现以来，迅速成为了最为热门的纳米材料。超高的载流子迁移率和费米速度、单原子......
底部抗反射涂层(BARCs)和光刻胶已被广泛地用于半导体制造中的光刻加工工艺中.BARCs在光刻中的主要好处就是聚焦/曝光宽容度的改善......
综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅栅线宽偏差 ,采用光刻模拟程序计算。采用顶层和底层抗反射涂层与否 ,对从 36 5nm曝光的 0 ......
由于芯片制造者竭力与摩尔定律保持一致,半导体产业便无疑成为娴熟的光学光刻所拒绝放弃任何可能的机会.光刻设备不断地突破其先前......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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半导体产业历史上最大的一次转变已经开始了。传统的光学光刻一直都是半导体产业和摩尔定律的核心,但这项技术的统治即将终
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高数值孔径光学光刻中，成像光分布在较大的入射角范围内，传统顶层抗反膜优化方法只对垂直光来减小光刻胶上表面反射率，难以保证光在整......
在高数值孔径光学光刻中，成像光入射角分布在较大范围内，传统的单底层抗反膜不足以控制抗蚀剂一衬底界面反射率（衬底反射率）。考虑照明......
相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高......
本文讨论了光学光刻中的离轴照明技术.主要从改善光刻分辨率、增大焦深、提高空间像对比度等方面对离轴照明与传统照明作了比较,并......
利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法，设计并利用电子束直写系统加工了实现邻近效应校正的灰阶......
在投影光刻中矢量衍射理论适用于研究照明光的偏振态对空间成像的影响.主要研究了在离轴照明方式下照明光的偏振态对线条图形的影......
作为光刻技术的“替罪羊”，光刻掩膜版已成为光成像途径中越来越重要的一部分。随着改善的光学邻近修正（OPC）和其它分辨率增强技术（RET......
PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统.当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生......
根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术--M-PEL.初步实验证明,M-pEL技术可在单层厚胶......
本文从工业化生产的观点,对各种光刻技术进行ULSI规模生产的能力及问题给以简要比较说明,提出发展光学光刻技术作为下一代0.35μm......
介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等.......
光学光刻正在瞄准１５０ｎｍ及更小尺寸的特征图形。在这种工艺中，计划采用１９３ｎｍ波长的ＡｒＦ准分子激光器和由Ｆ２准分子激光器发射的１５７ｎｍ波长光。在各种用途的激......
１引言一年半以前，国际ＳＥＭＡＴＥＣＨ财团将光学光刻的接班技术选择缩小到４种：极紫外（ＥＵＶ）、离子投影光刻（ＩＰＬ）、限角散射投影电子束光刻（ＳＣＡＬＰＥＬ）和ｘ射线光刻技术。已证实......
本文从对准系统与对准过程，提高型整片对准计算，激光步进对准测量系统，以及激光步进对准探测中对准标记形貌的作用等几个方面，介绍了Ｎｉｋｏｎ公......
提高分辨率，增大焦深，是限制光学光刻发展的主要因素。本文通过对光学光刻现状及潜能的分析，说明光学光刻可实现亚半微米ＩＣ的工业化生产......
综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅线宽偏差，采用光刻模拟程序计算，采用顶层和底层抗反射涂层与否，对从３６５ｍｍ曝光的０．４０μｍ到１９３ｍｍ曝光的０．２２５μｍ范围抗......
由于芯片制造者竭力与摩尔定律保持一致,半导体产业便无疑成为娴熟的光学光刻所拒绝放弃任何可能的机会.光刻设备不断地突破其先前......
