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光刻技术一直是集成电路工业发展中的重要推动力,移相掩模是提高光刻分辨率的重要分辨率增强技术.在65nm节点及以下的光学光刻中,......
本文介绍了分辨率增强技术(RET)对65nm-45nmArF光刻性能的影响.通过某种RET技术或它们的结合应用,利用PROLITH和自主开发的光刻仿......
随着集成电路(IC)芯片制备中最小线宽的不断缩小和浸没式光刻技术的引入,像差对特征图形尺寸的影响规律需要进一步研究.在65nm分辨......
研究了离轴照明对65 nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,研究65 nm线宽的密集线条、半密集线条、孤......
由于浸没液体和大数值孔径的引入,杂散光对光刻性能的影响更为显著和复杂,对杂散光进行分析和控制是获得良好光刻性能的关键之一.......
利用光刻仿真软件PROLITH,进行了掩模版空间成像的焦深(DOF)和光学临近效应的仿真.理论上分析了照明光瞳相干因子定义法:10%能量法......
提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高......
本文简单概述了浸没式ArF的发展历史、特点和面临的科学技术问题，在跟踪报道国内外最新研究进展的同时，介绍前沿光刻技术的研发特点......
