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极紫外光刻(EUVL)是实现22 nm及以下节点集成电路制造最为高效的工艺技术。本文介绍了EUV光刻胶树脂的结构特点及其对光刻性能的影响,并着重整理了近年来化学增幅型和非化学增幅型EUV光刻胶树脂的合成方法。最后,对EUV光刻胶树脂的结构设计进行了分析与展望。
极紫外(EUV)光刻胶树脂及合成方法进展
【摘 要】
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极紫外光刻(EUVL)是实现22 nm及以下节点集成电路制造最为高效的工艺技术。本文介绍了EUV光刻胶树脂的结构特点及其对光刻性能的影响,并着重整理了近年来化学增幅型和非化学增幅型EUV光刻胶树脂的合成方法。最后,对EUV光刻胶树脂的结构设计进行了分析与展望。
【机 构】
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青岛科技大学橡塑材料与工程教育部重点实验室
【出 处】
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影像科学与光化学
【发表日期】
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2021年4期
【基金项目】
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山东省腐蚀科学重点实验室开放课题(KLCS201908)资助。
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