双极型集成电路相关论文
高浓度离子注入砷隐埋层技术与扩散锑埋层技术相比，具有表面浓度高，硅表面无合金点等优点。应用该技术成功地研制了具有国际先进水平......
介绍用集成电路瞬态热阻测试仪对集成电路进行快速热筛选的方法，该方法可快速剔除粘接质量不良、热性能不好及热阻过大的芯片。对提......
利用线性“与或”门与高速ＥＣＬ开关电路设计了一种ＪＫ触发器电路，并讨论了应用线性“与或”门设计超高速数字电路的准则以及有关的组合和时......
心脏起搏器是抢救和治疗危重心律失常病人的重要电子医疗仪器,应用相当普遍.据第七届国际心脏起搏会议的统计,美国、联邦德国等国......
最近对集成电路高集成化,低工耗及高速化等的要求不断提高,MOS集成电路制造技术的发展是惊人的,但双极型集成电路依然很主要。在......
HP 公司推出的台式 HP1631A/D 逻辑分析仪增加了示波器功能,这台仪器能完成状态分析、时间分析和特性分析。考虑到数字硬件设计者......
一、概况: 这里介绍的是一台1970年开始研制的MOS和双极性混合使用的高速缓冲存贮器,其读写同期T≤250ns,容量为512,字长48位,存......
一、引言 CRAY—1S系列计算机系统是以一台处理速度很高、功能很强的通用中央处理机(CPU)为基础建立起来的。它所以有这样高的速......
引言MOS 集成电路是近年来发展起来的一种新型集成电路,它的工作原理完全不同于普通双极型集成电路,由于它具有输入阻抗高。噪音......
半导体集成电路从60年代初期发展到现在,在速度、集成度和可靠性等方面均取得巨大进展。它是现代电子科学技术的重大成就,它对科......
序言自从集成注入逻辑(I~2L)[1]和并合三极管逻辑(MTL)[2]对双极型集成电路产生巨大影响以来,围绕着进一步提高器件的密度和速度......
题 目工作报告期 页铝一Ⅳ型硅肖特基接触界面JD型层的研究……………………………………一～二 1超突变2.]一Ⅳ结空间电荷区………......
由中国电子学会半导体与集成技术学会、中国电子学会电子材料学学会联合举办的第三届全国集成电路和硅材料学术年会,于1983年11月......
利用解理法观察双极型集成电路芯片,对隔离沟道电流和结特性退化的原因进行了分析,认为外延层参数的不均匀性是造成隔离沟道电流......
由于现在能够对极薄的外延层扩散和有了晶体管隔离的新方法,今天双极型集成电路已能达到MOS的元件密度。
Bipolar integrated cir......
引言集成电路制备中,硅片及界面处,金属杂质的存在是造成集成电路成品率低,功能和可靠性差,易失效的重要原因之一。所以消除金属......
本文介绍高功能密度双极型集成电路的一种新的设计概念。基本的抢电流注入逻辑(Current Hogging Injection Logic(GHIL))门由一个......
应用高剂量(5×10~(15)/cm~2)的Si~+、P~+离子注入,成功地实现了LPCVD淀积在硅衬底上的非晶硅薄膜的固相外延。本文还研究了Si~+、......
一、引言自从1967年Tada和Laraya首次提出将肖特基势垒二极管(SBD)用于TTL集成电路以来,肖特基器件在双极硅集成电路中得到广泛的......
集成电路的制造工艺比较复杂。实验发现,芯片内部结构中的问题,将使管芯大量报废,对成品率影响甚大,本文采用“电解水氧化”显微技......
本文系邮电部508厂编写组根据美国集成电路工程公司编制的《集成电路芯片技术手册》(至今尚未公开发表)编译而成.文中较详细地介绍......
四、光刻工艺 光刻是在硅片或金属铝表面涂光致抗蚀剂,通过精细图形掩模曝光、显影、腐蚀成所需的图形,用来作扩散窗口或元件互联......
研究了多孔硅膜的制备、性质和应用。在低于临界电流密度的电流下,在浓氢氟酸中进行阳极处理使硅单晶转变成多孔硅膜。当 N 型硅作......
外延衬底在集成电路生产中的重要性是众所周知的.日、美等国早就十分重视外延衬底制备以及外延工艺的研究,把它作为半导体器件生产......
抗辐射加固技术期(页)双极晶体管中子辐照实验研究…………………………”…·…·:………………………”六(1)中子辑照对双极型器......
本文报导的U 型槽隔离技术,是采用反应离子刻蚀形成U 型槽,然后用多晶硅填槽,其多晶硅是用3—5%的SiH(?)与超纯氢的混合物在600-65......
一、引言在双极型集成电路生产中,为了提高电路速度,采用了薄层外延,对通隔离和浅结扩散工艺。对通隔离的下隔离是作在外延之前的......
本文介绍了利用计算机模拟双极型集成电路的瞬时辐照效应。主要包括模拟原理、重要的模拟输入参数的提取、模拟过程和模拟结果和与......
本文介绍一种在氮、氧混合气氛下对硅器件的高温氧化扩散工艺。它用于NPN或PNP晶体管以及双极型集成电路的制造,对减少热氧化诱生......
本文根据RHX36、RHX37等IC的抗核加固器件,以抗中子和γ射线为主,采取提高IC设计余量,使电路增益在较宽的范围内都不致于影响IC的......
本文报告了 LT6209等六种录像机专用双极型集成电路的开发与研制,阐述了版图设计、工艺设计及研制中所遵守的原则和解决的主要问题......
综 述生学束外延(CBE)的研究现状及歧用……………………………………汽车电子化与半导体器件……………电致发光显示器(El。)国内......
时代的列车日夜奔驰,向着现代化前进。其牵引的动力大部分来自微电子技术和信息技术。本文专门介绍微电子技术。这个技术领域包括......
1 多β晶体管与线性与或门在开发高速硅集成电路的努力中,人们把注意力放在双极型集成电路上.双极型晶体管不仅由于其结电容较小而......
日本Toshiba公司于1987年推出了由2片MOS大规模集成电路和4片双极型集成电路组成的数字电视系统。数字信号处理是用1.5微米标准线......
双极型集成电路、MOS 集成电路及晶体管电路已广泛地应用于计算机、自动化设备和仪表等电子设备中。在对这些电子设备的实验、调......
卫星和其它飞行在近地轨道（低于3.8倍地球半径的轨道）的航天器对被地球磁场俘获的高通量质子流极其敏感，双极型集成电路则更容易因此......
背景资料:rn1947年年底,贝尔实验室的美国物理学家肖克利、巴丁和布拉顿三人,合作发明了晶体管,实现了电路固体化.它的发明开创了......
一、CMOS型时基集成电路ICM7555/7556 我们常用的NE555/556是双极型集成电路。INTERSIL公司生产的ICM7555/7556是能与NE555/556作......
