堆垛层错相关论文
高温合金材料作为重要耐高温结构材料,主要应用于航天涡轮叶片。由于母相中析出晶格适配绝佳的γ′沉淀相,以及组分对化学反应的作......
在材料科学和工程领域,合金金属和纳米结构材料呈现出优异的力学和物理性能,具有广阔的应用前景。众所周知,合金化通常用于改善材......
随着机械制造业的快速发展,人们的生活变得丰富多彩,但带来的振动与噪音却也严重影响了人们的健康,因此开发阻尼材料成了必不可少......
镁合金作为目前工业应用最轻的金属材料,具有高比强度和比刚度等优越的力学和物理性能,是国防高科技领域的理想材料之一。然而,由......
运用激光熔覆技术在ＡＩＳＩ１０４５钢表面制备了３０ｖｏｌ－％ＳｉＣｐ／Ｎｉ－Ｃｒ－Ｂ－Ｓｉ－Ｃ涂层。ＳＥＭ和ＴＥＭ观察分析表明：ＳｉＣｐ在熔覆过程中完全溶解；涂层结合区组织为共晶结构；涂层组织由初生石墨球Ｇ，分布在......
堆垛层错是一种对金属、合金的相变及某些性质有重要影响的晶体缺陷。用X射线衍射线形分析法可以测定金属合金中的层错几率。本文......
用普通的切克劳斯基法生长硅晶体会招致形成大量的氧络合物;在对硅进行高温处理期间这种氧杂质的存在可以引起各种晶体缺陷,但是通......
为了揭示14H相的形成机理,制备并研究了18R LPSO单相Mg-Y-Zn(简称S18)合金经773 K退火100 h的显微组织演变。结果表明:铸态S18合金......
瞄准国际水平 ,积极开展技术创新是上海硅材料厂发展半导体硅材料的思路和原则。去年 ,上海硅材料厂将近年自行开发成功的硅片背面......
钙－铈氟碳酸盐系列矿物各成员之间的体衍交生现象非常发育，极易形成有序－无序混层结构及多型体等。Ｂ３Ｓ２＝ＢＢＳＢＳ即为该矿物系列中的两个端员矿物氟......
基于开展的薄硅片长脉冲激光弯曲成形实验,针对弯曲样品表面产生的滑移线和堆垛层错缺陷,结合实验所用规格硅片弯曲角度不超过35°......
以MnO2和LiOH·H2O为原料,采用固相法分别在750和900℃温度下焙烧得到Li2MnO3正极材料,并研究Li2MnO3正极材料晶体缺陷结构和......
利用透射电镜和高分辨率透射电镜研究了原位合成钛基复合材料增强体TiB的堆垛层错结构.结果表明,堆垛层错容易在TiB的(100)面上形......
运用分子动力学方法研究了γ-TiAl合金在不同应变比作用下的疲劳裂纹扩展机理。结果表明,疲劳裂纹均先以解理方式扩展,随后通过驱......
在93K低温下处理铬锆铜合金，发现α固溶体形成孪晶结构，并析出大量弥散的Cu3Zr和Cr2Zr细小颗粒。孪晶结构的形成依靠堆垛层错的滑移......
利用金相组织观察、透射电子显微镜(TEM)分析和点阵参数测定方法研究了Ge含量对Fe-24Mn合金马氏体相变和显微组织结构的影响.结果......
利用XRD、OM、SEM、TEM测试技术和室温拉伸试验研究均匀化热处理对Mg-7Gd-3Y-1Nd-1Zn-0.5Zr（质量分数,%）合金显微组织及力学性能的影......
本文在简单评叙过去常用于金属材料中晶粒（嵌镶块）大小和微观应变的X射线衍射线形分析方法（分离微晶-微应变二重宽化效应的Fourier分......
在室温下能量为60keV,剂量为3.0×1015cm-2对晶面指数为(400)的P型硅样品中进行了的C+离子注入,对样品进行了XRD和拉曼光谱测试,同......
研究超低温温度场中Cu-Zr-Cr合金基体组织(α固溶体)形成孪晶结构并析出弥散的Cu3Zr和Cr2Zr金属间化合物及基体组织微细化的过程。......
近年来,半导体纳米线由于具有独特的电学、光学及力学等性能,在新型纳米光电子器件领域拥有广阔的应用前景,因而引起了研究者的极......
德国学者Gletier首次在实验室成功制备出纳米晶体样品后，由于纳米多晶金属材料具有传统金属材料所不具有的非常独特的力学性能，因而......
正交LiMnO2以其独有的特性,作为正极材料有着优良的表现,本文针对其缺点进行掺杂改性研究,使用凝胶溶胶法制备正极材料,研究了不同......
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本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错(SF)的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-Tencor CS920的光致发光(PL)......
利用XRD、OM、SEM、TEM和室温拉伸实验等方法研究了均匀化热处理对Mg-5Gd-3Y-1Nd-2Zn-0.5Zr(mass%)合金组织及力学性能的影响。结......
长周期结构增强镁合金是近年来新发展的一种具有应用前景的镁合金新型结构材料。长周期结构作为镁合金中一种新发现的增强相，极大地......
综合整理了近年来马氏体相变试验研究的新成果。认为马氏体相变切变过程缺乏热力学可能性。指出马氏体在晶界、相界面、位错等缺陷......
利用扫描电镜背散射电子像、透射电镜观察及能谱分析，研究了铸态MgGd1.8Y0.8Zn0.7（at．％）在400℃热处理前后结构的变化。结果发现，400qC热......
本文利用非平衡分子动力学方法研究了位错和堆垛层错对氮化镓晶体热导率的影响。研究结果表明氮化镓中刃型位错的存在不仅对垂直位......
采用物理气相传输法(PVT法)在4英寸(1英寸=25.4 mm)偏<1120>方向4°的4H-SiC籽晶的C面生长4H-SiC晶体。用熔融氢氧化钾腐蚀4H-SiC......
科学技术的进步与工程应用中的新材料及其新性能紧密相关。而材料的力学性能,如塑性、强度、韧性、抗疲劳等,则与其内在的微观结构......
介绍了一种利用层错无损测量4H-SiC半导体材料外延层厚度的方法。该方法是根据4H-SiC同质外延生长中堆垛层错(stacking fault,SF)......
通过 TEM截面像和平面像的观察 ,对于用低压金属有机化合物气相外延 (LP MOVPE)法在 Ga As(0 0 1 )衬底上制备的立方相 Ga N外延层......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能,可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生......
富锂锰基材料由于具有高的放电比容量因而受到极大关注。但该材料首次充放电容量效率低且倍率性能差等缺点限制了其应用,这与富锂......
低温气体/等离子体渗氮,氮离子注入以及等离子体基氮离子注入Fe-Cr-Ni奥氏体不锈钢,在不锈钢基体表面形成具有耐磨抗蚀复合性能的......
学位
本文对P型（100）无位错硅晶片的热氧化堆垛层错长度生长和收缩规律进行了研究.给出层错长度、氧化时间,氧化温度之间的关系为L=ktnexp......
采用分子动力学方法模拟了含球形孔洞的单晶α-Ti在单轴拉伸载荷作用下孔洞的生长过程和微观力学特性。研究表明,低应变率作用下，材......
作为宽禁带直接带隙半导体材料的典型代表,氮化镓材料被广泛应用于光学和电子器件领域。目前氮化镓材料主要通过异质衬底气相外延......
