含TEA＋离子的化合物作为模板剂会成的β沸石是由有序结构A、B、C到沿[001]方向堆积成堆垛层错结构．三种有序结构出现的几率分别为0．31、0．36和0．33；其数值不受样品中硅铝出的影响．几率值如此相近的原因是构成β沸石的结构单元Ⅰ的四种连接方式（见图2）能量相等.几率值之间的微小差别,是基于在晶体生长过程中支撑赶A、B和C型三维通道结构的TEA＋离子以不同排列形成的难易程度不同所引起．B型对应的排列略易于C型、C型又略易于A型，因此使用此种模板剂时，A、B、C三种结构均可能出现，只能合成出具有堆垛层错结构的β沸石．由于三维通道的特点，合成β沸石对模板剂的用量必须大于具有二维通道或一维通道的分子筛合成时的用量．而且要求有机控离子不宜过大、反应温度相对较低、晶化时间相对较长，以利于有机按高子不同取向排列的形成