霍耳迁移率相关论文
本文采用直流反应磁控溅射技术，,利用Ga-N共掺方法,在N2O+O2气氛下、玻璃衬底上制备了ZnMgO薄膜。通过不断优化N2O/O2流量比值和衬......
本文对用气态蒸发法制备的S_nO_2薄膜进行了基本物理特性的研究。试样薄膜的厚度为5000,利用霍耳效应测定其载流子浓度为4.99×1......
用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的微波光电导谱和横向磁阻，给出了从微波光电导谱计算少子扩散长度和从......
以B2O3作掺杂剂，用热丝辅助化学气相沉积法成功合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜．用VanderPauw法测量了掺硼金刚石薄膜的电阻率、霍耳迁......
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的锌δ掺杂ＧａＡｓ结构．结果表明，改进δ掺杂工艺在５５０℃下掺杂可获得高达３×１０１３／ｃｍ２的室温二维空穴浓度．在......
我们用光加热低压金属有机物化学气相淀积方法在α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功地外延生长出高质量的纤锌矿结构ＧａＮ．生长温度约９５０℃，比普通射频加热的ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长温......
用射频磁控溅射方法在有机柔性衬底上制备出好的附着性、低电阻率、高透射率ＺｎＯ∶Ａｌ的透明导电膜，研究了薄膜的结构、电学和光学特性．
Th......
用电子束蒸发制得了透明导电的ITO(indiumtin oxide)薄膜(厚3000—5000(?)),其方块电阻为4.5—20Ω/□,波长7000(?)时的透光率为80......
在4～300°K的范围内,测量了组分0.195...
采用分子束外延生长法在取向为的CdTeB面衬底上生长CdTe和Cd_xHg_(1-x)Te(CMT),CdTe的外延温度在25℃和250℃之间,而CMT的外延温......
掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封......
在开管H_2气流系统中,利用普通滑移舟,在(111)A CdTe衬底上;液相外延生长出Hg_(1-x)Cd_xTe(0.17≤x≤0.3)外延层。用这种方法生长......
采用汞蒸汽等离子体阴极溅射技术,已同时在几种CdTe衬底上(总面积为20cm~2)外延生长了Cd_xHg_(1-x)Te薄膜。薄膜在加热到310℃的衬......
采用直接描绘电子束刻蚀法制造了用于低噪声极高频(EHF)放大器的亚半微米栅长的高电子迁移率晶体管。调制掺杂的外延结构是用分子......
对开管AsCl_3—Ga—N_2气体输运技术的砷化镓外延生长进行了充分的试验,就其最佳生长条件进行了若干补充讨论。比较了氮气及氢气携......
采用离子注入掺磷后测量了膜的霍耳迁移率,研究了不同淀积条件对膜特性的影响。表明最佳淀积温度为950℃左右。偏离此温度,迁移率......
本文介绍了一种用于Ⅲ一Ⅴ族半导体化合物生长的新的液相外延法——蒸气压控制温差液相外延法。该方法的特点在于在生长系统中引入......
低压CVD生成的多晶硅膜的导电性已作过测定并与常压下淀积的硅膜进行了比较。低压硅膜是在580℃和620℃下淀积的,用离子注入进行磷......
用电子束蒸发技术制备出3000-5000A厚,透明导电的锢锡氧化物(ITO)薄膜。这种薄膜的薄层方块电阻是4.5-20Ω/口,在波长为700A时,透......
在高温下(600～1000℃)用硅烷分解法于热氧化层上生长了多晶硅。从生长条件影响的角度出发研究并讨论了结晶学电学性能及其他方面的......
本文描述了一种对离子注入半导体进行均匀大面积退火用的矩形截面电子束——电子帘。用此电子帘对注入能量为100keV,注入剂量为10~......
氧化锌膜是一种新型导电极。性能优良,价格低廉。本文主要介绍氧化锌膜的制作方法及工艺参数对其性能的影响。
Zinc oxide film ......
在180-500 K温度范围测量了不掺杂半绝缘GaAs晶体的电阻率和霍耳系数.按结果可把样品分为两类:(一)高阻样品,激活能为0.71-0.64eV,......
用5N In,5N或6N Sb,光谱纯Ni,掺入5N Te 6×10~(16)/cm~3和不掺Te的InSb-NiSb共晶复合材料,G=125±5℃/cm,不同凝固速度(R)的试样,......
氧化锡(SnO_2)导电膜是一种应用广泛的透明金属氧化膜,它是一种多晶结构的薄膜。在可见光范围内透过系数大于0.9,在红外区受到强吸......
最近Ford微电子公司采用低压MOVPE技术以碳作为基区层掺杂剂制作了具有毫米波性能的HBT。采用重掺杂碳的基区层,既能降低基区电阻......
本文使用TEM分析、X射线衍射以及电导和霍耳效应联合测量等手段研究了Ar~+激光结晶a-Si:H膜的结构和电学性质.结果表明a-Si:H液相......
采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量......
对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳......
提出一种采用背面保温层的2倍频YAG激光晶化多晶硅技术.采用此技术后,晶化后的多晶硅薄膜的晶粒尺寸与霍耳迁移率都提高了将近一倍......
本文讨论了采用孪生对靶直流磁控溅射方法制备ZnO：Al（ZAO)薄膜材料，考察一定工艺条件下制备的ZAO 材料的霍耳迁移率、可见光透射率、......
材料的纯度直接影响了化合物半导体外延材料的物理性质,进而影响器件的质量.通常情况下,本征材料的常温和低温霍耳迁移率反应了外......
一般情况下,磁场与敏感器很难严格垂直或平行,这就要求敏感器对磁场的三个分量都敏感.此时,只要磁矢的绝对值达到某一定值,敏感器......
通过数值求解，得到不同磁感应强度下波矢空间的稳定唯一周期解或稳定焦点不动解，并进一步给出了霍耳迁移率随磁感应强度的演变行为和......
用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的微波光是导谱和横向磁阻，给出了从微波光电导谱计算了少子扩散长度和......
用数值方法将室温n型GaN补偿度θ表示为Caughey-Thomas解析模型函数.对大多数非故意掺杂样品,该模型值θChin与Chin等人的理论值及......
考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制--电离杂质散射,极化光学波散射,声学波压电散射和声学声子形变势......
采用流体动力学平衡方程在温度为３０Ｋ到１０００Ｋ范围内计算了霍耳迁移率，并用补偿模式研究了载流子密度与温度的关系。结果表明，电离杂质散射对霍......
