多晶膜相关论文
铋原子以其6s2孤对电子以及具有共价键和金属键双重成键特性,决定了它具有一系列独特的物理化学性质。而氧化物又作为自然界存在最......
1988年10月24-26日在日本东京举行了第一届新型会刚石科学与技术国际学术会议.这次会议是日本新型金刚石论坛(JNDF)举办的.出席会......
报道了采用双光束紫外激光辅助有机金属化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术获得氧化锌（ＺｎＯ）薄膜（厚度５０～２００ｎｍ）的电镜研究结果。反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）指......
用热灯丝ＣＶＤ方法在Ｃ－ＢＮ单晶衬底上制备出金刚石膜，并且在Ｃ－ＢＮ（１００）面上观察到金刚石的异质外延。
Diamond films were prepared on a C-BN single c......
用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理．Ｘ射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取......
我们采用ＭＯＣＶＤ外延技术首次在ＧａＡｓ（１００）和（１１１）衬底上成功地生长了ＭｇＳｅ单层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术观察到了它的ＮａＣｌ结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构，并首......
实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶，使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝（ＡｌＮ）薄膜，淀积时引入氮气直流放电以促使Ａｌ和Ｎ发生完全反......
用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ITO透明导电薄膜 ,对薄膜的低温制备 (80～ 2 4 0℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备......
日本住友电气工业公司试验在硅、铝、钼的表面生长2μ厚多结晶金刚石被膜取得了成功。试验是用高频把甲烷和氢的混合气体等离子化......
3-乙基-5-[2-(3-乙基-2-苯并亚噻唑啉基)亚乙基]罗丹宁是一种有希望的有机太阳能电池的光电介质材料,但它的吸收谱较窄。Morel将......
本文报导了日本Rigaku 3015 X—射线衍射仪光路系统的选择对回摆曲线法的测定结果的影响以及影响范围。实验结果表明,在X射线衍射......
采用脉冲激光沉积设备(PLD)在GaN(0001)晶向上成功沉积了铁电多晶膜LiNbO_3,然后采用热蒸发法在薄膜表面镀铝电极。并对制备的LiNb......
研究了五种无限供应的 Bilayer 膜金属/硅体系中(Ni/Si,Cu/Si,Nb/Si,Mo/Si,Ti/Si),因离子束注入引起的界面原子交混及相变过程。界......
本文介绍了文献中尚未见报道的利用微波等离子体CVD系统制备YBaCuO超导薄膜的探索性研究结果。在不断调整各工艺参数的基础上,摸索......
本文首先简要叙述了Ｃ＿（６０）分子的结构以及Ｃ＿（６０）固体的结构和物性，然后较详细地讨论了目前采用的几种气相生长Ｃ＿（６０）。薄膜的方法，以及不同的衬底上Ｃ＿（６０）薄膜......
为了研究基片的表面状态对金刚石成核密度的影响，采用了抛光清洁的基片、对样品划痕、基片加热脱附等不同的表面处理方法，对样品表面......
研究了直流等离子体激光化学汽相沉积（ＣＶＤ）法合成金刚石膜的断裂强度。利用压力爆破技术测量了圆形金刚石膜的断裂强度。实验结果表明，断......
0引言随着电子器件的发展，IC集成度越来越高，按等比例缩小的原则，线条越来越细，电子器件互连金属薄膜的线条所承受的电流密度就越来越......
自从石墨电弧放电制备克量级C_(60)的方法发现以来,研究不同衬底上C_(60)薄膜的生长行为就一直是科学家关注的热点之一.制备高质量......
真空升华获得了两种晶态结构的酞菁锡（ＳｎＰｃ）多品薄膜．用常规吸收光谱和Ｘ射线衍射谱进行了表征和分析．观察到激子谱带的Ｂｅｔｈｅ分裂和Ｄａｖｙｄｏｖ分裂对异向性衬......
硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究①姚江宏彭军王永谦陈光华②（兰州大学物理系，兰州７３００００）Ｃ６０的发现［１］及采用简单方法大量制备的成功......
尽管Fe_(16)N_2的结构早已为人们所知“‘，但对其研究的巨大兴趣则始于发现其奇异的高饱和rrrrrrrrn磁化强度（Bs一258 T严之后．制备高......
在氮气气氛中用石墨电弧法合成了氮掺杂富勒烯．质谱、紫外、红外分析等手段证实了样品中含有Ｃ５９Ｎ、Ｃ５９Ｎ２、Ｃ５９Ｎ４、Ｃ５９Ｎ６以及Ｃ７０Ｎ２等分子团簇，对蒸发制备的薄膜......
使用射频溅射法制作了Ｇａ２Ｏ３薄膜并对其氧敏特性和温度特性进进了测试和研究，结果表明薄膜电阻与环境气氛中的氧分压的１／４次方成比例而与温度......
采用脉冲激光沉积的方法,在Pt/SiO_2/Si衬底上制备了掺Ca的(Pb,La)TiO_3薄膜。薄膜呈多晶结构,具有较好的铁电性和热释电性。由于......
对厚度约为０．４μｍ的ＣｏＳｉ２多晶薄膜的织构进行了研究。Ｘ射线极图分析表明，薄膜表现出与以往文献中所报导的ＣｏＳｉ２薄膜完全不同的织构类型。在Ｓｉ（１１１）衬底上织......
报道了Ａｌ／ＶＯＰｃ／ＩＴＯ夹心结构在稳态连续光照射下的光电压作用谱。稳态光电压作用谱不仅依赖于照射光的波长，而且依赖于ＶＯＰｃ（钒氧酞菁）多晶薄膜的堆积方......
提出用ＲｅａｄＸ射线相机照相制作多晶薄膜极图，进而确定薄膜织构的方法，并推导出相关公式。
The paper presents the method of photographi......
综述了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰＺＴ系列铁电薄膜各种因素对薄膜微结构及性能的影响，分析了铁电薄膜极化疲劳微观机制，提出了优化的工艺条件及极化疲劳改善......
二氧化铈绝缘体 随着超大规模集成电路的发展,要求使用一种与微型电容器相匹配的薄膜材料。在低压下运行时,微型电容器必须具有适......
以粉末靶为溅射源,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺铟氧化锌(ZnO∶In)透明导电膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、霍尔测......
本文介绍了一种新的制备MgB2膜的方法——溶胶凝胶法.以Mg(BH4)2的乙醚溶液(Mg(BH4)2·Et2O)作为前驱体,将其覆涂于Al2O3(001)衬底......
采用原电池电化学法制备了钨酸锶钙(Sr1–yCayWO4)薄膜。利用X射线衍射仪、能谱仪和荧光计等对薄膜进行分析,并研究了薄膜中钙含量......
通过电阻率测量研究了Ｋ原子在Ｃ６０单晶中的扩散深度与时间的关系，得出温度为２３０℃时Ｋ原子在Ｃ６０单晶中的扩散系数约为１０－１５ｍ２ｓ－１．由扩散系数估算出制备０．１ｍｍ厚Ｋ３Ｃ６０单晶......
概述了磁光记录原理，介绍了磁光盘的基板材料，并重点阐述了稀土－过渡（ＲＥ－ＴＭ）合金非晶膜的制造方法、性能及其保护膜。另外还扼要介绍了氧化物......
宝石之王“金刚石”在工业应用中的尝试是旧课题又是新课题,人造金刚石已大量上市,若金刚石能用作半导体器件其影响将相当大,怎样......
优质的外延Pb_xSn_(1-x)Te膜最初是在锗基片上制得的。用射频多阴极系统同时或逐个以不同速率从三个靶进行溅射成膜。当基片低于普......
一、前言碲锡铅(PbSnTe)是目前国内外正在广泛而深入研究的一种Ⅳ—Ⅵ族合成固溶体化合物。它不仅是用来制造长波红外探测器的本......
实验证明,在激光再结晶多晶硅薄膜上迭层制造MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)是切实可行的。初始研究是在一多晶膜上采用分离栅......
本文报导了用不加正交磁场的低温反应射频溅射生长C轴择优取向AIN多晶膜的方法,用该法在多种基片(特别是在镀铝玻璃片)上制得了择......
