GAASP相关论文
为了实现GaAs基量子阱半导体激光器更宽的光谱范围,InGaAs/GaAs应变量子阱被广泛应用在量子阱激光器中。同时,应变多量子阱可以实......
在近红外光谱区工作的（0．76～1．0μm）的高功率二极管激光器已作为掺铒光纤放大器、Nd：YAG和Ho：YAG激光器的泵浦源使用。可购到的此波段二极......
采用某些特殊材料(如GaP、GaAsP等)制成的二极管,有一个可贵的特点,当将有一定数值的正向偏压加在其两端时,会产生光辐射,因此它......
长春光机与物理所通过了新型微腔碟型（微碟）激光器的技术鉴定。该所通过光刻方法实现了微碟激光器件图形转移；利用湿法及干法刻蚀技术......
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1962年首只红色发光二极管GaAsP问世以来,40年间发光二极管(LED)得到了飞速的发展。1985年人们用GaAIAs制成的LED的发光强度第一......
通过优化张应变量子阱外延结构和设计线列阵双沟道深隔离槽腐蚀工艺,采用低压金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)生长了GaAsP/GaInP......
High performance 1.3 μm InGaAsN superluminescent diodes (SLDs) were fabricated with Schottky contact. The structure was......
Influence of the upper waveguide layer thickness on optical field in asymmetric heterostructure quan
Asymmetric broad-waveguide separate-confinement heterostructure(BW-SCH) quantum well(QW) laser diode emitting at 808 nm ......
研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6μm)和3种不同的Al GaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1μm,Al0.6Ga......
建立Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型。该模型与实验材料InGaP/GaAs,InGaAs/InP及已发表的GaAsP/GaAs,InA......
对1 060 nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区进行了理论计算和设计。对比了GaAsP、GaAs和AlGaAs三种不同材料的垒层所组成的高应......
为提高940nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaI......
通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光......
Ga In As P layers and Ga As P/(Al) Ga In P laser diodes(LDs) have been grown on Ga As substrates by metalorganic chemica......
A comprehensive design optimization of 1.55- m high power In GaAsP/In P board area lasers is performed aiming at increas......
Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体,采用GaAs—GaAsP气相外延生长法的红光系现正以压倒优势垄断着市场。由于台式电子计算机的畅销大大地开发......
一、发光二极管的分类和标准1.发光二极管的分类发光二极管大致分为绿色(GaP、GaAs)、黄色(GaAsP)、红色(GaAsP、GaAlAs、GaP)和......
镓是当代信息技术发展的重要支撑材料。GaAs、GaAlAs、GaSb、GaP、GaAsP等化合物广泛用于电子工业,作为可见光、红外及激光二极管......
The experimental study of compression of picosecond optical pulses from a gainswitched InGaAsP DFB laser at 1.5μm wave......
1 发光二极管(LED) 发光二极管是一种能够发光的半导体二极管。其英文名称为Light Emitting Diode,通常缩写为“LED”。制作发光......
一、简况: 作为发光材料包括诸如GaAs,GaPGaAlAs,GaAsP,InGaP合金等Ⅲ—Ⅴ半导体化合物,以及在GaAs上涂布萤光如YoCl、Y_b、E_r、......
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随着电子设备的固体化、数字化的飞跃发展,Ⅲ—V族化合物半导体发光器件引起人们的重视,用磷砷镓（GaAs_(0.6)P_(0.4)）制成的固体数码......
In_(1-x)Ga_xAs_(1-y)P_y四元合金是近几年来研究较活跃、发展较快和很有希望的Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体材料。它引起人们注意的......
国内外对发光二极管单片式、混合式矩阵显示装置正在进行活跃的研究。成为这种二极管显示装置的基本技术有:制备高效率p-n结;在单......
本文论述了在720℃～750℃的温度下,Zn在Ga(1-x)Al_xAs,GaAs中的扩散。研究了结深x_1,随片子表面Al组份x值的变化规律。实验表明在同......
在最近三年内,发光二极管材料和封装技术的进步使发光灯和显示器得到了新的较大的进展。现把其中大部分工作汇集为如下三个方面。......
本文对国外半导体发光与显示器件的发展及应用作了简单的评述,比较了几种发光材料(特别是GaAs_(1-x)P_x)的优缺点,认为目前发光显......
结构问题 显示器件乃是信息与人眼间联系的桥梁,人眼对可见光中各波长的响应不一致,因此感兴趣的便不只是发光的能量问题。这样,......
日本电气公司,研究成功了一种新开管扩散技术,制备出低价格,高亮度的红色发光二极管。 这种技术的基本点在于用开管方法代替过去......
引言电致发光或发光二极管是一种工作于正向偏压时能发光的半导体p-n结器件。在过去五年中,这种器件在从小型指示灯到用发光二极......
——在GaAs:Si—GaAsP异质结基片上涂复NaYF_4:Yb,Er磷光体,已经研制出具有多色性能的发光二极管。这种双结单个管芯的发光二极管,......
本文简要介绍对GaAsP和GaAlAs两种发光器件进行热激电容和热激电流的测量。看重介绍用电桥电路和锁相放大器测量热激电容的方法,并......
本文介绍了直接禁带半导体中辐射速率和俄歇速率的一组归一化计算结果,重点是1.3μm和1.55μm波长所对应的禁带材料。根据可得到的......
本文提出并论证了一种新型异质结InGaAsP/InP激光器,即双载流子限制异质结(DCC-异质结)激光器的工作。这种激光器是通过在普通的In......
市售的GaAsP发光二级管所发出的光仅占其内部所产生光量的2～4％。效率低的部分原因是由于光被较小的带隙过渡区和衬底所吸收。假如Ga......
负电子亲和势冷阴极是在负电子亲和势光阴极的基础上发展起来的,目前已报道的负电子亲和势冷阴极有GaAs、Si、GaAsP、GaP、GaAlP......
对GaAsP、GaAIAs发光二极管中的深能级,用瞬态电容谱(DLTS)方法研究得知,二极管在退化前后存在着几个深能级,并测得其能级深度、浓......
测量了1.3μm InGaAsP/InP DH激光器在-40℃～+62℃温度范围内的伏安特性。发现电流-电压关系可写成I=I_(01)exp(AV)+I_(02)exp(qV/n......
平面有源区隐埋异质结(BH)激光器光-电流特性的非线性与高阶模变换、光谱展宽有关,在某些情况下还与 TM 偏振受激发射的开始有关......
