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采用金属有机化学气相沉积生长了 In P/ Ga As0 .5Sb0 .5/ In P双异质结晶体三极管 (DHBT)材料 ,研究了材料质量对器件性能的影响 ......
首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性.研究首次发现在高于量子阱的Mott迁......
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重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键......