量子阱混杂相关论文
为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同......
为了获得更好的量子阱混杂效果,深入探讨了不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响。首先在两种不同Al组分外延......
为提高940nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaI......
自量子阱混杂发现以来,其在这几十年的发展中取得了巨大进步。在各种量子阱混杂的方法中,无杂质空位扩散诱导量子阱混杂(IFVD)以其......
杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率。以Zn3As2为扩散源,采用闭管扩散方式,......
在红光半导体激光器芯片上采用GaAs介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区由一个9 nm厚的GaInP量子阱......
研究了不同扩散温度下Zn杂质扩散诱导量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区发光特性的影响规律。当扩散时间为20 min时随着扩散温度从5......
采用量子阱混杂的方法制作了可集成的分布式Bragg反射激光器．通过同时控制相位区和光栅区的注入电流，该激光器的波长可以准连续地调......
报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成,集成器件显示出了良好的静态特性：阈值电......
报道了使用SiO2介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验，得到200nm的最大带隙波长蓝移．另外，采用量子阱混杂制作了......
为了提高915nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力,采用基于SiO2薄膜无杂质诱导量子阱混合法制备符合915nm半导体激光器AlGaInAs单......
对张应变GaInP量子阱激光器材料结构开展变温光致发光特性的研究,实验中激光器有源区为9nmGa0.575In0.425P量子阱结构,采用N离子注......
光学灾变损伤(COD)常发生于量子阱半导体激光器的前腔面处,极大地影响了激光器的出光功率及寿命。通过杂质诱导量子阱混杂技术使腔......
高功率激光器,尤其是大功率半导体激光器,由于其体积小、功率高、可靠性好等特点目前已成为下一代激光技术的重点发展之一。而灾难......
为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC（光子集成电路）和OEIC（光电子集成电路），采用等离子诱导Q......
电信业进入二十一世纪之后,对网络带宽的需求还在持续增加。波分复用技术(WDM)、大范围可调谐激光器和单片集成技术的出现,极大地......
为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构开展量子阱混杂技术研究。通......
互联网、无线通信的快速发展及各种数据业务的爆炸式增长,对网络带宽的需求急剧增加。光纤通信作为现代通信网的三大支柱之一,正向......
高功率半导体激光器由于体积小、效率高、调制简单等一系列优点,受到广泛的关注和应用。高输出功率和长期可靠性是高功率半导体激......
随着激光显示技术的快速发展,对高性能红光激光光源的需求愈发迫切。采用张应变的GaInP量子阱可以获得更短波长的红光,但其受到的......
多波长分布反馈（Distributed Feedback，简称：DFB）半导体激光器阵列一直被认为是密集波分复用（Dense Wavelength Division Multiplexing：......
在红光半导体激光器芯片上采用Si O2介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区是由两个6 nm厚的Ga In P量......
