表面迁移率相关论文
对等离子增强化学气相淀积(PECVD)和低压化学气相淀积(LPCVD)两种方法制备掺杂多晶硅膜进行了详细的实验研究,通过时两者进行比较,对淀积的动力学特......
本文分析了以正硅酸乙酯溶液为源,用等离子体增强化学汽相淀积法淀积的氧化硅膜的成分与电荷等特性,以及淀积和退火工艺条件对这些特......
用热丝法制备了纳米晶硅薄膜.通过Raman散射谱及X射线谱,系统地研究了沉积气压Pg、高H2稀释及衬底与钨丝之间距离对沉积速率、纳米硅薄膜的形成......
一、前言在真空和低压环境中,将可凝性原子(吸附原子)传输到一表面来制备薄膜。产生吸附原子的方法有热蒸发、物理溅射、气相粒子......
在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对nc-Si:H薄膜的结构性能的影响。结果表明......
本文报道用真空蒸发制备含氧硅薄膜的技术,研究了衬底温度对薄膜结构和组分的影响.实验发现在真空为5×10-3Pa、衬底温度在280~480℃范围内,随着温度......
据Nanowerk网站7月15日报道,DAPRA授予了美国西南研究院(SwRI)一份价值150万美元,为期三年的合同,旨在研发新型薄膜沉积技术。该项......
用在CdTe衬底上外延生长的HgCdTe制备了MIS场效应晶体管。平面n沟道场效应晶体管用ZnS作绝缘层,同时通过注入Be离子形成源和漏区。......
本文考虑了横向电场和纵向电场对表面迁移率的影响,分析了强表面电场下MOSFET的电学特性.给出了电导和跨导等分析表达式.对硅VVMOS......
以单晶碲化镉为基体在等温条件下在密封的结构内利用气相输运方法生长碲镉汞外延膜。用该法制备出来的外延层在汞蒸汽压下退火。用......
在绝缘层上激光再结晶硅中制作结体管业已实现。用氮化硅抗反射窄条,使硅在激光扫描退火后的边缘变陡。抗反射窄条可以精确控制晶......
利用可控射频溅射技术生长的氮化硅作绝缘膜,制造出Al/Si_3N_4/n-GaAs 的MIS 二极管和埋沟耗尽型GaAsMISFET.溅射时不通纯氢,器件......
本文提出了三种测量半导体表面迁移率的方法:(1)直流电导法;(2)交流电导法;(3)跨导法.并测量了半导体表面迁移率与栅压的依赖关系.......
本文利用与退火条件有关的离子注入杂质分布,得到了在硅中硼离子注入退火条件对载流子表面迁移率的影响。还得到了硼离子注入薄层......
本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物分子束外延的新进展——原子层分子束外延(ALMBE).介绍了它的基本原理、生长方法和应用.
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采用SDB/SOI材料制备ISFET型pH传感器,减少了衬底漏电,从而改善了pH传感器的温漂、时漂等特性。这种结构对pH传感器是有实用意义的......
分子束外延(MBE)是一项外延薄膜生长技术,通过把由热蒸发产生的原子或分子束射到被加热的清洁的衬底上而生成薄膜。这种技术的发展......
在对硅材料基本物理参数的高温模型和宽温区(27~300℃)MOSFET基本特性深入研究的基础上,进一步研究了宽温区MOSFET的非常数表面迁移率......
采用液液两相法, 在甲苯和水的两相体系中制备了由不同烷基链长单硫醇修饰的具有无机-有机核壳结构的CdS半导体纳米晶. 使用透射电......
在不同的氧分压下用电子柬热蒸发的方法制备了氧化锆薄膜。用扫描探针显微镜、X射线衍射仪和分光光度计分别对薄膜的表面粗糙度、......
本文对小尺寸MOS管参数测量中所遇到的沟道效应及静电反馈对阈值电压的影响,热电效应对迁移率的影响,有限载流子飘逸速度产生的沟道......