【摘 要】
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本文考虑了横向电场和纵向电场对表面迁移率的影响,分析了强表面电场下MOSFET的电学特性.给出了电导和跨导等分析表达式.对硅VVMOSFET进行了电学特性的测量.实验结果与理论分
【机 构】
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山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系 83届毕业生,83届毕业生
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本文考虑了横向电场和纵向电场对表面迁移率的影响,分析了强表面电场下MOSFET的电学特性.给出了电导和跨导等分析表达式.对硅VVMOSFET进行了电学特性的测量.实验结果与理论分析符合得很好.
In this paper, the influence of transverse electric field and longitudinal electric field on the surface mobility is considered, and the electrical characteristics of the MOSFET under strong surface electric field are analyzed. The analytical expressions of conductance and transconductance are given. The electrical properties of the silicon VVMOSFET are measured. In good agreement with the theoretical analysis.
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