汽相外延相关论文
介绍了一种高阻厚层硅外延工艺。通过控制电阻率小于0.02Ωcm的重掺P型衬底的自掺杂，得到了P型高阻厚外延层，外延层的电阻率大于60Ω......
本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓｐ体材料及ＩｎＧａＡＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓（ＴＭ６３）、三甲基铟（ＴＭｈ）和纯的砷烷（Ａ８Ｈ３）、磷......
一、材料生长1.HgCdTe分子束外延技术:材料性能集锦(Owen K.Wu)2.分子束外延中HgCdTe生长条件的精确控制(Masaya Kawano)3.利用三......
1.在Cd和Zn结尾的{001}GaAs上两维分子束外延{001}CdTe(N.K.Dhar)2.在金属有机物汽相外延系统中利用Ge界面层在Si上生长CdTe的研......
尽管在砷化镓衬底上能否生长出令人满意的亚稳态立方相氮化镓仍受到工业界的怀疑,但国家光电技术研究中心和北京半导体所的研究人......
根据发光波长、化合物半导体的能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结各层的ｘ，ｙ值组成、掺杂浓度、厚度等整个ＬＥＤ的管......
据报道,夏普欧洲实验室科学家已用分子束外延生长世界首只蓝紫激光二极管。器件生长在蓝宝石基底上,是屋脊形波导InGaN多量子阱激......
引言磷化镓是目前主要采用的绿色发光材料。国外对于汽相外延制取此材料作了不少努力,但目前效率最高的材料是由液相外延形成p-n......
美国TechnologiesandDevicesInternational(TDI)公司目前正在生产氮化物基半导体器件用的3英寸直径半绝缘材料,即淀积在导电SiC衬......
Technologies and Devices International(TDI)公司声称取得一项技术突破,制造出工业界第一块6英寸GaN外延材料。上述蓝宝石上GaN......
斯坦福大学的科学家G.Solomen与美国CBLTechnologies及德国柏林的PaulDrude固体电子学研究所合作,将有机金属化学汽相淀积(MOCVD)......
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文章综述了光电子材料技术的发展梗概，通过对比分析，从发展趋势上论述了ＭＯＶＰＥ法在生产光电子技术功能材料方面的进展。尤其进入９０年代中期以......
用氢化物汽相外延(HVPE)方法已成功地制造出稳定的In0.43Ga0.57N材料,从而使得该材料大有希望成为一流绿光LED的制造材料体系。制......
报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征......
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采用 Ga/AsCl_3/H_2汽相外延在掺杂半绝缘衬底上生长 FET 的缓冲层。用霍耳、光霍尔、阴极荧光以及新的深能级瞬态电流法(DLTS)研......
一、引言应用离子注入制造高频 GaAs 器件正在一些实验室进行。有源层固有的均匀性和重复性,通过分布修正来改善器件性能的潜力以......
采用双管汽相外延工艺可实现异质结的多层薄膜连续生长。我们用这种系统已经生长出了多层薄膜(例如可交替生长50层厚度200(?)的In......
最近美国邮电研究中心报导了具有高达1.6μm 波长响应的低电容的汽相外延 InGaAs/InP p-i-n 光电二极管和 p-i-n FET 混合光接收......
本文叙述了用Si~+注入GaAs形成低噪声MESFET有源层的初步实验结果.获得了峰值载流子浓度为1～2×10(17)cm~(-3)、在交界面处迁移率≥......
磷化铟汽相外延已用于沉积制备 FET 所需的亚微米多层结构。该结构是沉积在绝缘掺铁衬底上,由缓冲层、表面沟道层和 n~(++)接触层......
为了弄清在 GaAs 汽相外延层和衬底交界面之间引起高阻层的深中心的能级,确立了三种测量方法:(1)肖特基势垒电容与时间的关系,(2)......
使用 Ga/As Cl_3H_2系统,以 CrO_2Cl_2作掺杂剂生长半绝缘掺铬GaAs 外延层,电阻率的数量级可达10~8欧姆·厘米。这表明铬起着深能......
本文对 PCl_3-H_2-In 体系外延生长的热力学进行了计算。对影响外延生长速度的因素进行了详尽的讨论,发现竞争生长是影响生长速度......
由于InP具有高的峰谷比,高的电子漂移速度和快的谷间散射.使其成为微波和光电器件方面有前途的新材料. 本工作企图采用 In/PCl_3/......
英plessey公司的LGC-600型光伏碲锡铅器件(77°K),系用汽相外延材料制成,成分均均,可用于9～12或10～13微米波段,单元器件装在50.8毫......
描述了采用A-B位错腐蚀剂来显示Ⅲ-Ⅴ族化合物的界面。腐蚀剂使用简便,并且已用于目前所试验过的所有Ⅲ-Ⅴ族化合物。
Describes ......
本文描述以液相外延和汽相外延相结合的混合外延生长法研制1.5μm波长InGaAsP/InP双异质结材料的实验,并分析其测试结果。
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用二乙基碲化物、二甲基镉和液体Hg作源材料在流动H_2中完成了Cd_xHg_(1-x)Te的外延生长。在生长富Hg的Cd_xHg_(1-x)Te时碰到的问......
PCl_3/In/H_2的最新工作是揭示PCl_3克分子分数和质量输运效应对外延生长速度和净掺杂影响的互变关系。介绍了用改进了的比早期AsC......
一、引言在低噪声 GaAsFET 的发展中,近来已有重大进展。噪声系数不断降低,频率上限不断提高,频率高至 Ka 频段的低噪声 FET 放大......
讨论了通过汽相外延氯化物工艺制备适用于X波段FET的GaAs外延层。其结构包括高阻缓冲层和n~+接触层。严格控制三氯化砷的克分子分......
在CdTe衬底上,应用开管等温汽相外延(ISOVPE)已经生长出能达到制作器件的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.2≤x≤0.35)外延层。层的表面形貌似镜,......
用分子束外延技术试制成两种和以往的汽相外延法具有同样特性的砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)。一种是频率为8千兆赫的最小噪声系数......
众所周知,GaAs汽相外延中,衬底中的补偿杂质以自掺杂和外扩散的形式进入外延层,引起外延材料的补偿.近年来,从补偿比来研究掺杂GaA......
本文报道在高水汽压(≈4.1×10~(-5)大气压)、低沉积温度(650℃)下,Ga/AsCl_3/H_2汽相外延系统生长的高纯外延层的实测电参数及其......
GaAs的热处理工作自1960年以来就已进行,但到了70年代前后,它成了一个比较时兴的课题,当时的背景可能是由于体效应器件的盛行,自1......
1.引言由于 GaAs 的迁移率比 Si 和 Ge 大,而且禁带宽度也大,所以它可以制作高频,耐高温,大功率的器件。在汽相外延中,由于可在低......
比较了在高温下由化学汽相反应和液体溶液反应生长的Ⅲ—Ⅴ族化合物,从材料的观点上描述了光发射和微波振荡器件的要求。也讨论了......
